MA0402CG180F100 是一款基于 MOSFET 技术的功率半导体器件,专为高效率和高可靠性应用场景设计。该器件采用 TO-252 封装形式,适用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。其低导通电阻和快速开关特性使得该元器件在功率转换过程中能够有效减少能量损耗。
MA0402CG180F100 属于 N 沟道增强型 MOSFET,主要通过栅极电压控制漏极与源极之间的导通状态。它具有良好的耐热性能和抗干扰能力,适合各种严苛的工作环境。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:30A
导通电阻(典型值):1.8mΩ
栅极电荷:38nC
总电容:1120pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 低导通电阻:MA0402CG180F100 的导通电阻仅为 1.8mΩ,可显著降低功率损耗。
2. 快速开关性能:具备较低的栅极电荷和输出电容,支持高频操作。
3. 高电流承载能力:连续漏极电流可达 30A,适合大功率应用。
4. 宽工作温度范围:能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端温度范围内稳定运行。
5. 强大的 ESD 保护功能:提高了器件的鲁棒性,避免因静电损坏导致失效。
6. 紧凑封装:TO-252 封装节省了电路板空间,同时提供了良好的散热性能。
MA0402CG180F100 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下场景:
1. 开关模式电源(SMPS):用于 AC-DC 和 DC-DC 转换电路中,提升转换效率。
2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等的驱动控制。
3. 太阳能逆变器:作为功率级开关元件,参与光伏系统的能量转换。
4. 工业自动化设备:如 PLC 控制模块中的功率输出级。
5. 电动工具:为高功率电动工具提供高效的开关控制。
6. 电动汽车充电系统:用于车载充电器或充电桩的功率转换部分。
MA0402CG180F120, IRFZ44N, FDP5500