时间：2025/9/14 23:59:24
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PBSS3515M 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装。这款器件设计用于需要高效能、高可靠性的功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制。PBSS3515M 具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适合在高频率开关环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.6A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V，100mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TSSOP
PBSS3515M MOSFET 具备多项显著特性。首先，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用场景。其次，该器件具有较高的栅极阈值电压（Vgs(th)），确保在复杂电磁环境中具备良好的抗干扰能力。此外，其封装设计优化了热性能，有助于在高功率密度系统中实现良好的散热效果。
该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，提高系统的可靠性。其栅极氧化层设计也增强了器件的抗静电能力和长期稳定性，从而延长使用寿命。TSSOP 封装结构使其适用于表面贴装工艺，适合自动化生产，并节省电路板空间。
PBSS3515M 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、电池充电电路、负载开关控制、电机驱动电路、LED 照明驱动器以及各类便携式电子设备中的功率控制模块。其高效率和小尺寸特性使其成为许多中低功率应用的理想选择。
Si2302DS, IRML2803, FDN340P, AO3400A
