类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 (VDS)：30V
　　最大栅源电压 (VGS)：20V
　　最大漏极电流 (ID)：连续 10A
　　导通电阻 (RDS(on))：最大 42mΩ（在 VGS=10V 时）
　　功率耗散 (PD)：最大 1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT223

PBSS304NXZ 具备多项优秀的电气和热性能，使其在功率管理应用中表现出色。
　　首先，该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其典型的 RDS(on) 值在 VGS=10V 时仅为 42mΩ，这使得在高电流条件下仍能保持较低的功耗。
　　其次，PBSS304NXZ 的最大漏极电流为 10A，能够在较高负载条件下稳定运行。其漏源电压额定值为 30V，能够满足中等功率应用的需求，同时具备一定的电压裕量，提高了器件的可靠性。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 20V 的栅源电压，使其能够与多种驱动电路兼容，包括常见的 10V 和 12V 栅极驱动器。这种高栅压容限有助于提高驱动灵活性，并降低因驱动电压波动而导致器件损坏的风险。
　　在封装方面，PBSS304NXZ 使用 SOT223 封装，具备良好的热管理能力，能够有效散发运行过程中产生的热量，确保器件在高温环境下仍能稳定工作。该封装形式也适用于自动化贴片工艺，便于大批量生产和组装。
　　最后，PBSS304NXZ 符合 RoHS 标准并采用无铅封装，符合现代电子设备对环保材料的要求。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于各种严苛的工业和汽车应用环境。

PBSS304NXZ 适用于多种功率管理应用。其高电流能力和低导通电阻使其成为 DC-DC 转换器和同步整流器的理想选择，在电源模块、电池充电器和负载开关电路中广泛应用。由于其具备较高的热稳定性和可靠的封装设计，PBSS304NXZ 也常用于汽车电子系统，如车载电源管理系统和电动工具驱动电路。此外，在工业自动化设备、便携式电子产品和电机控制电路中也能看到其身影。其良好的电气性能和广泛的适用性使其成为工程师在中等功率应用中首选的 MOSFET 器件之一。

Si2302DS, FDS6675, IRF7404, AO4406