时间：2025/9/14 21:00:06
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PBSS304ND 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流能力和优异的热稳定性，适用于多种电源管理和功率开关应用。PBSS304ND 采用 SOT223 封装，适合表面贴装工艺，广泛应用于汽车电子、工业控制、电源适配器和负载开关等领域。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：5.8A
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS=10V, 5.8A
导通电阻（RDS(on)）：40mΩ @ VGS=4.5V, 5A
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT223
PBSS304ND 的核心优势在于其极低的导通电阻，这使其在高电流条件下具有更低的功率损耗，提高了系统的能效。该器件采用先进的 Trench 工艺，具有良好的热性能和稳定的电气特性，能够在高温环境下可靠运行。SOT223 封装形式提供了良好的散热能力，同时支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。
此外，PBSS304ND 具有较高的电流承载能力，能够承受瞬态过载电流，增强了系统的鲁棒性。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，适用于多种栅极驱动电路设计。其高可靠性符合汽车电子应用的严格标准，广泛用于车载电源管理系统和电机驱动电路。
PBSS304ND 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）和车载充电系统。在工业自动化领域，它常用于 PLC 模块、电机驱动器和电源管理系统。此外，该器件还适用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路，以及 LED 照明系统的开关控制。
Si2302DS, FDS6675, AO3400, IRF7413
