时间：2025/9/14 11:27:06
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PBSS302PZ,135是一款由Nexperia公司生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用Trench MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流能力，适用于负载开关、电源管理和电池供电设备等应用。该器件采用DFN2020D-10封装，具有良好的热性能和空间效率，适用于表面贴装。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：-6.5A
导通电阻(RDS(on))：最大值65mΩ（在VGS=10V）
阈值电压(VGS(th))：-1.5V至-2.5V
功耗(PD)：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
PBSS302PZ,135采用先进的Trench MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。该器件支持高电流能力，能够承受较大的负载电流而不导致过热或性能下降。其DFN2020D-10封装设计不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保在高功率应用中的稳定性。此外，该MOSFET具备快速开关特性，适用于需要高频操作的电路设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，在4.5V至20V之间均可正常工作，便于与多种控制器或驱动电路兼容。其反向恢复特性优秀，适用于同步整流和DC-DC转换器等高频应用。此外，PBSS302PZ,135还具备较强的抗静电能力和过热保护特性，确保在严苛环境下的可靠性。
PBSS302PZ,135广泛应用于多种电源管理场景，包括但不限于负载开关、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备电源管理以及汽车电子系统中的电源控制模块。由于其高效率和紧凑封装，该器件也常用于需要高能效和空间限制的移动设备和工业控制系统中。
Si2302DS, IRML2803, FDC6303, AO4406A, BUK9M52-30CE
