时间：2025/9/14 16:48:29
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PBSS301PD,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件主要设计用于中等功率和高增益应用，具有优异的开关性能和较高的电流承载能力，适用于广泛的模拟和数字电路设计。
类型：NPN晶体管
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
最大功耗（Ptot）：300 mW
电流增益（hFE）：110-800（根据工作条件不同）
频率响应（fT）：100 MHz
封装类型：SOT23
PBSS301PD,115 是一款高性能 NPN 晶体管，具有出色的电流增益范围，hFE 值可在110到800之间变化，这使得它能够适应多种电路设计需求。该晶体管采用了先进的制造工艺，确保了稳定的性能和较长的使用寿命。
其SOT23封装形式小巧，适合用于高密度电路板设计，并具有良好的散热性能，能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，PBSS301PD,115 的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为30 V，适用于各种中低功率放大和开关应用。
该晶体管的频率响应高达100 MHz，因此非常适合用于高频放大电路。此外，它具有较低的饱和压降，有助于减少能量损耗并提高系统效率。PBSS301PD,115 的最大功耗为300 mW，能够在不使用散热片的情况下工作于较高的环境温度中，适用于便携式设备和嵌入式系统。
PBSS301PD,115 广泛应用于各种电子设备中，包括但不限于：模拟和数字放大电路、电源开关控制电路、传感器接口电路、音频放大器、通信设备中的射频（RF）放大模块、工业自动化控制系统、消费类电子产品（如智能家电、可穿戴设备）以及汽车电子系统中的信号处理和驱动电路。
由于其高增益特性，PBSS301PD,115 也常被用于需要高精度信号放大的场合，如传感器信号调理电路和仪表放大器设计中。在通信系统中，它可以作为中频放大器或射频前端的小信号放大器使用。
BC847, 2N3904, MMBT3904
