时间：2025/8/6 15:50:32
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TNK363PN是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。该器件采用TO-220封装，具备较高的耐用性和散热性能，适合中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A（在Tc=25℃）
功耗（Pd）：150W
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.018Ω（在Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220
TNK363PN具有低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体效率。该MOSFET采用先进的沟槽式技术，提供优异的开关性能和热稳定性。此外，其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。
该器件还具有良好的热保护性能，能够在较高温度下稳定工作，减少了对外部散热器的依赖。其栅极驱动电压范围较宽（一般为4.5V至20V），兼容多种驱动电路，如PWM控制器和逻辑IC。
由于采用了东芝的专有工艺技术，TNK363PN在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗，并有助于实现更紧凑的电源设计。此外，其抗雪崩能力较强，能够在瞬态条件下提供更高的可靠性。
TNK363PN常见于各类电源管理应用中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器以及电机驱动电路。此外，它也适用于需要高效能和高可靠性的工业控制设备、汽车电子系统以及负载开关电路。
在电机控制方面，TNK363PN可以用于H桥电路以实现双向电机驱动。在电池管理系统中，它可作为高侧或低侧开关，用于控制充放电路径。由于其高频特性，它也适用于谐振式变换器和同步整流电路，从而提高系统整体效率。
在汽车应用中，该MOSFET可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载逆变器等场景，满足对高可靠性和耐久性的需求。
IRFZ44N, FDP3632, TK35A06, STP55NF06
