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PBSS301NZ 发布时间 时间:2025/6/19 6:47:31 查看 阅读:5

PBSS301NZ 是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于需要高效开关性能的电路设计中。该器件采用小型化的SOT23封装,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,适合在便携式设备、电源管理模块以及信号切换等应用场合中使用。
  该器件的主要特点是其低阈值电压和出色的电气性能,能够在低压环境下实现高效的开关操作,同时保持较小的体积和较高的可靠性。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  最大连续漏极电流(Id):1.4A
  导通电阻(Rds(on)):0.55Ω (在Vgs=4.5V时)
  总功耗(Ptot):460mW
  结温范围(Tj):-55°C至+150°C
  封装形式:SOT23

特性

PBSS301NZ 的主要特性包括:
  1. 低导通电阻:Rds(on) 在典型工作条件下仅为0.55Ω,这有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力:该MOSFET具备优异的开关性能,适用于高频应用。
  3. 小型化封装:采用标准SOT23封装,节省了印刷电路板空间,非常适合空间受限的设计。
  4. 高可靠性:经过严格测试,确保在各种工作条件下保持稳定性能。
  5. 低栅极电荷:降低了驱动功耗,进一步优化了整体系统效率。
  6. 宽工作温度范围:能够在极端温度下可靠运行,适应多种应用场景。

应用

PBSS301NZ 可用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的开关元件。
  3. 负载开关和电池保护电路。
  4. 电机驱动和音频放大器中的信号切换。
  5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
  6. 消费类电子产品中的各种开关和控制功能。
  由于其低导通电阻和小尺寸,这款MOSFET特别适合于要求高效率和紧凑设计的应用场景。

替代型号

PBSS301N, BSS138, AO3400

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