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GJM0335C1H2R8BB01D 发布时间 时间:2025/6/3 13:46:47 查看 阅读:3

GJM0335C1H2R8BB01D 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及无线充电等应用场景。
  由于其卓越的性能,这款晶体管能够在高频率下实现更低的损耗,从而提高系统效率并减少散热需求。

参数

型号:GJM0335C1H2R8BB01D
  类型:增强型场效应晶体管(eGaN FET)
  材料:氮化镓(GaN)
  导通电阻(Rds(on)):25 mΩ(典型值,@ Vgs=6V)
  击穿电压(BVDSS):600 V
  栅极电荷(Qg):40 nC
  最大漏极电流(Id):30 A
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247-4L

特性

GJM0335C1H2R8BB01D 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压支持高达 600V 的工作环境,适用于高压电源系统。
  2. 极低的导通电阻(25mΩ),显著降低导通损耗,提升整体效率。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。
  4. 内置优化栅极驱动设计,简化电路设计,提高可靠性。
  5. 小尺寸封装提供更高的功率密度,节省 PCB 空间。
  6. 宽工作温度范围使其在极端条件下仍能保持稳定性能。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(Switching Power Supplies, SMPS)
  2. 服务器及通信设备中的高效 DC-DC 转换器
  3. 光伏逆变器和储能系统的功率转换模块
  4. 电动汽车(EV)车载充电器与 DC/DC 变换器
  5. 无线充电发射端及接收端功率管理
  6. 高频谐振拓扑结构如 LLC 和 CLLC 转换器

替代型号

GJN0335C1H2R8BB01D, GJM0335C1H3R0BB01D

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GJM0335C1H2R8BB01D参数

  • 现有数量7,860现货
  • 价格1 : ¥0.79000剪切带(CT)15,000 : ¥0.08832卷带(TR)
  • 系列GJM
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容2.8 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-