GJM0335C1H2R8BB01D 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用了先进的 GaN-on-Silicon 工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、电机驱动以及无线充电等应用场景。
由于其卓越的性能,这款晶体管能够在高频率下实现更低的损耗,从而提高系统效率并减少散热需求。
型号:GJM0335C1H2R8BB01D
类型:增强型场效应晶体管(eGaN FET)
材料:氮化镓(GaN)
导通电阻(Rds(on)):25 mΩ(典型值,@ Vgs=6V)
击穿电压(BVDSS):600 V
栅极电荷(Qg):40 nC
最大漏极电流(Id):30 A
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247-4L
GJM0335C1H2R8BB01D 的主要特性包括:
1. 高击穿电压支持高达 600V 的工作环境,适用于高压电源系统。
2. 极低的导通电阻(25mΩ),显著降低导通损耗,提升整体效率。
3. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。
4. 内置优化栅极驱动设计,简化电路设计,提高可靠性。
5. 小尺寸封装提供更高的功率密度,节省 PCB 空间。
6. 宽工作温度范围使其在极端条件下仍能保持稳定性能。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(Switching Power Supplies, SMPS)
2. 服务器及通信设备中的高效 DC-DC 转换器
3. 光伏逆变器和储能系统的功率转换模块
4. 电动汽车(EV)车载充电器与 DC/DC 变换器
5. 无线充电发射端及接收端功率管理
6. 高频谐振拓扑结构如 LLC 和 CLLC 转换器
GJN0335C1H2R8BB01D, GJM0335C1H3R0BB01D