时间：2025/5/23 11:36:12
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MB85RS16PNF-G-JNERE1 是一款基于 FRAM（铁电随机存取存储器）技术的非易失性存储器芯片。FRAM 技术结合了 RAM 的高速读写特性和非易失性存储的特点，使其在断电后仍能保存数据。该芯片由富士通半导体生产，适用于需要频繁写入和快速响应的应用场景。
MB85RS16PNF 系列支持 I2C 接口，工作电压范围为 1.8V 至 3.6V，具有低功耗和高耐用性的特点。其存储容量为 16Kb（2048 字节），采用 SOP-8 封装形式。
存储容量：16Kb (2048 字节)
接口类型：I2C
工作电压：1.8V 至 3.6V
工作电流：最大 3mA（典型值 1mA）
待机电流：最大 1μA
存储 endurance：超过 10^12 次写入/擦除周期
数据保持时间：10 年（在最高 85°C 条件下）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOP-8
1. 高速写入与非易失性：
MB85RS16PNF 支持无需等待时间的即时写入操作，并且即使在断电情况下也能保存数据。
2. 超长寿命：
由于 FRAM 技术的本质，该芯片可以承受超过 10^12 次写入/擦除周期，非常适合高频数据记录场景。
3. 低功耗：
相比传统的 EEPROM 和闪存，MB85RS16PNF 在写入操作时的功耗显著降低。
4. 快速恢复能力：
芯片在上电后能够迅速进入工作状态，延迟时间极短。
5. 简化的系统设计：
由于无需像闪存一样进行页面管理或错误校正码处理，因此使用 MB85RS16PNF 可以简化系统设计并减少整体 BOM 成本。
1. 工业自动化：
用于实时数据记录、配置存储以及关键状态信息保存。
2. 医疗设备：
如便携式健康监测设备中，可用于存储患者数据和设备设置。
3. 物联网 (IoT)：
适合应用于需要频繁写入传感器数据的物联网节点。
4. 计量表：
例如智能电表中的数据日志记录功能。
5. 消费类电子产品：
用作用户偏好设置、固件升级缓存等功能的存储介质。
MB85RS16TYM-G-NHECE1, MB85RS16PNF-G-JNIRE1
