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PBSS2540E 发布时间 时间:2025/7/4 7:19:35 查看 阅读:5

PBSS2540E 是一款 N 沟道功率 MOSFET,专为高效能开关应用设计。它采用了先进的制程技术以实现低导通电阻和快速开关性能,非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等应用领域。
  该器件具有出色的热性能和电气特性,能够在高频条件下提供高效的功率转换,同时其小尺寸封装也使其非常适合空间受限的设计。

参数

型号:PBSS:N-Channel Power MOSFET
  Vds(最大漏源电压):40V
  Rds(on)(导通电阻,典型值):4.5mΩ
  Id(连续漏极电流):17A
  Qg(栅极电荷):38nC
  BVDSS(漏源击穿电压):40V
  fT(特征频率):2.3MHz
  Vgs(th)(阈值电压):1.6V
  Tj(工作结温范围):-55°C 至 +175°C
  封装形式:LFPAK8
  ESD 防护等级:HBM ≥ 2kV

特性

PBSS2540E 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了较低的传导损耗,从而提升了整体效率。
  2. 快速开关能力使得该器件非常适合高频开关应用,能够有效降低开关损耗。
  3. 小型化的 LFPAK8 封装在节省 PCB 空间的同时保持了良好的散热性能。
  4. 高雪崩能量耐受能力增强了器件在异常条件下的可靠性。
  5. 支持高电流操作,适合多种大功率应用环境。
  6. 工作温度范围宽广,适用于各种严苛的工作条件。

应用

PBSS2540E 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
  2. 笔记本电脑、平板电脑及智能手机中的负载开关。
  3. 电池管理系统 (BMS) 中的保护电路。
  4. 各类电机驱动控制电路。
  5. LED 驱动器中的功率开关。
  6. 电信设备及工业自动化设备中的高效功率管理模块。

替代型号

NTMFS5C706N
  IRLZ44N
  FDP5570NZ
  AO3400A

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PBSS2540E参数

  • 安装类型表面贴装
  • 宽度0.9mm
  • 封装类型SMPAK
  • 尺寸0.85 x 1.8 x 0.9mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型NPN
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散250 mW
  • 最大发射极-基极电压6 V
  • 最大基极-发射极饱和电压1.2 V
  • 最大直流集电极电流0.5 A
  • 最大集电极-发射极电压40 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.25 V
  • 最大集电极-基极电压40 V
  • 最小直流电流增益50 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 最高工作频率450 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别双极小信号
  • 配置
  • 长度1.8mm
  • 高度0.85mm