WS2512-TR1 时间：2025/9/16 1:42:04 阅读：5

WS2512-TR1 是一款由 Winsemi（无锡华润硅微电子有限公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统中。WS2512-TR1 采用先进的沟槽型 MOS 工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高效率、高密度的电源设计。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：120A（在 Vgs=10V）
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 1.2mΩ（在 Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：250W
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

WS2512-TR1 的核心优势在于其卓越的导通性能和热稳定性。该器件采用了先进的沟槽式 MOS 工艺，使其在低 Vgs 电压下也能实现较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。其最大导通电阻仅为 1.2mΩ，显著降低了在高电流应用中的功耗。此外，该 MOSFET 具有较高的电流承载能力和优异的热阻性能，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　WS2512-TR1 的封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），这种表面贴装封装结构有助于提高散热效率，并便于在 PCB 上安装。其最大漏极电流可达 120A，在高温环境下仍能保持良好的性能表现。此外，该器件具有良好的雪崩能量承受能力，能够适应瞬态过压和过流情况，提高了系统的可靠性和耐用性。
　　该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，提供了更宽的控制范围，适用于多种驱动电路。同时，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和汽车电子应用中的严苛环境。

应用

WS2512-TR1 主要用于各种高功率、高效率的电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关、电源分配系统以及汽车电子设备中的功率控制模块。该器件的低导通电阻和高电流能力使其成为高密度电源设计的理想选择。此外，它也广泛应用于服务器电源、通信设备电源模块、工业自动化控制系统以及新能源汽车的电源管理单元。