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PBSS2515YPN 发布时间 时间:2025/9/15 0:12:05 查看 阅读:5

PBSS2515YPN 是一款由Nexperia(安世半导体)生产的NPN型双极性晶体管(BJT),专为高功率和高电流应用设计。该器件采用了先进的TrenchMOS技术,具备出色的热稳定性和低饱和电压特性。PBSS2515YPN 主要面向需要高效能、高可靠性的电源管理和负载开关应用,广泛用于汽车电子、工业控制、消费类电子以及通信设备中。

参数

晶体管类型:NPN型BJT
  最大集电极-发射极电压(VCEO):15V
  最大集电极电流(IC):2A
  最大功耗(PD):300mW
  增益带宽积(fT):100MHz
  最小电流增益(hFE):110(在IC=2mA时)
  饱和电压(VCEsat):0.25V(典型值,IC=1A)
  封装形式:SOT23(SC-59)

特性

PBSS2515YPN 的主要特性之一是其较低的饱和电压(VCEsat),这使得在大电流工作条件下能够显著降低功率损耗,提高系统效率。此外,该晶体管具有良好的热稳定性和较高的电流增益,确保在各种工作条件下都能保持稳定的性能。该器件采用SOT23封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。同时,其较高的最大集电极电流(2A)和良好的开关特性使其适用于需要高负载能力的电路。PBSS2515YPN 还具有较高的可靠性和长寿命,适用于对稳定性要求较高的工业和汽车应用。

应用

PBSS2515YPN 主要应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器、马达驱动器、继电器驱动、LED照明控制以及各类功率放大电路中。此外,由于其优异的热稳定性和低饱和电压特性,也广泛用于汽车电子系统(如车载充电系统、车身控制模块等)以及工业自动化控制系统。

替代型号

PBSS2515YDL

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PBSS2515YPN参数

  • 晶体管极性:npn型/ PNP输出
  • 电压, Vceo:15V
  • 过渡频率, ft:420MHz
  • 功耗, Pd:200mW
  • 集电极直流电流:500mA
  • 直流电流增益 hFE:200
  • 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
  • 封装类型:SOT-363
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • SMD标号:N8
  • 功率 Ptot (每器件):200mW
  • 功耗:200mW
  • 封装类型:SOT-363
  • 总功率, Ptot:430mW
  • 截止频率 ft, 典型值:420MHz
  • 最大连续电流, Ic:500mA
  • 模块配置:
  • 满功率温度:25°C
  • 电压, Vcbo:15V
  • 电流, Ic hFE:10mA
  • 电流, Ic 最大:500mA
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:200
  • 表面安装器件:表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:25mV