时间：2025/9/14 22:51:39
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PBSM5240PF,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）制造的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的 Trench 工艺，具备低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适用于各种工业、消费类电子和汽车电子设备。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：-20V
栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：-4A
导通电阻(Rds(on))：最大 85mΩ @ Vgs = -4.5V，最大 110mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散(Pd)：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TSOP-6
PBSM5240PF,115 采用了 Nexperia 的先进 Trench 工艺，具有极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高效率。该器件的栅极氧化层设计增强了抗静电能力，提高了在恶劣环境下的稳定性。其封装形式为 TSOP-6，适用于表面贴装技术，节省空间并便于自动化生产。
此外，该 MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定，适用于高可靠性要求的应用场景。其低栅极电荷（Qg）和快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗。同时，该器件符合 RoHS 标准，支持环保设计。
PBSM5240PF,115 适用于多种电源管理和开关控制场合，包括但不限于以下应用：
1. 电池供电设备中的负载开关控制，如便携式电子产品和手持设备；
2. DC-DC 转换器和电源管理模块；
3. 负载切换和电源分配系统；
4. 汽车电子系统中的低电压功率控制；
5. 工业控制系统中的电源管理单元；
6. 作为高边开关用于电源保护和热插拔控制。
SI2301DS, BSS84, FDN340P, AO3401A
