PBRN123ET 时间：2025/9/14 18:03:09 阅读：20

PBRN123ET 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效功率开关的场合。这款 MOSFET 采用高性能硅技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电源管理系统等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：2.3 A（连续）
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约 0.12 Ω（典型值，VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（小型表面贴装封装）

特性

PBRN123ET 具备多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现卓越。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）特性显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。这种低电阻特性在高电流应用中尤为重要，可以有效减少发热，延长设备使用寿命。
　　其次，PBRN123ET 采用了先进的硅工艺技术，使得其具备较快的开关速度，适用于高频开关电路。快速开关能力有助于减小外围元件的尺寸，提升整体电路的紧凑性，特别适合在空间受限的设计中使用。
　　此外，PBRN123ET 采用 SOT-23 小型封装，便于表面贴装，提高了 PCB 的集成度。该封装形式不仅节省空间，还具有良好的散热性能，确保器件在高负载条件下依然能够稳定运行。
　　该器件的工作温度范围较宽，能够在 -55°C 至 +150°C 的环境中正常工作，适应各种严苛的工业和汽车应用环境。同时，其 ±12V 的栅源电压耐受能力提供了更高的设计灵活性，允许使用不同的驱动电路配置。
　　综合来看，PBRN123ET 在性能、封装和可靠性方面均表现出色，是一款适用于多种功率控制场景的高性能 MOSFET 器件。

应用

PBRN123ET 主要应用于需要高效功率管理的小型电子设备中。例如，在 DC-DC 转换器中，PBRN123ET 可以作为主开关器件，实现高效率的电压转换，广泛用于电源适配器、电池充电器和便携式设备电源管理模块。
　　在负载开关电路中，该 MOSFET 可用于控制电源供应的开启和关闭，常用于智能电池管理系统、USB 电源控制和负载切换应用中，帮助降低待机功耗，提高系统能效。
　　此外，PBRN123ET 还适用于电机控制电路，尤其是在低功率直流电机驱动器中，如小型风扇、机器人控制系统和自动化设备中的电机开关控制。其快速开关特性和低导通电阻可有效提高电机控制精度和能效。
　　在工业自动化和汽车电子领域，PBRN123ET 也常被用于传感器电源管理、LED 驱动、继电器替代电路以及各类电源管理系统中，满足高可靠性和高效能的设计需求。