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DMC3028LSDX-13 发布时间 时间:2025/8/2 9:27:19 查看 阅读:27

DMC3028LSDX-13 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,提供较低的导通电阻(RDS(on))和高效率的功率开关性能。这款 MOSFET 通常用于需要高效能、低功耗的电源管理系统中,例如 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等应用。DMC3028LSDX-13 采用节省空间的 8 引脚 SOIC 封装,具有高可靠性和热稳定性。

参数

类型:功率 MOSFET
  沟道类型:双 N 沟道
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):6.3A(每个沟道)
  导通电阻(RDS(on)):28mΩ @ VGS=10V
  导通电阻(RDS(on)):36mΩ @ VGS=4.5V
  功率耗散:2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:8-SOIC

特性

DMC3028LSDX-13 的主要特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。在 VGS=10V 时,RDS(on) 仅为 28mΩ,在 VGS=4.5V 时也仅为 36mΩ,这使得该器件适用于低电压驱动电路。
  该 MOSFET 采用双 N 沟道结构,允许在一个封装中实现两个独立的功率开关,从而节省 PCB 空间并提高系统集成度。这种配置特别适用于需要多个开关的电源管理应用。
  此外,DMC3028LSDX-13 的 8 引脚 SOIC 封装具有良好的热性能,能够有效地将热量散发到 PCB 上,从而提高器件在高电流应用中的可靠性。其栅极驱动电压范围为 ±20V,兼容标准逻辑电平驱动器,便于与各种控制电路配合使用。
  该器件还具有较高的雪崩能量承受能力,能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护。这种特性在电源开关和电机控制等应用中尤为重要,因为它可以防止因感应负载引起的电压尖峰导致器件损坏。
  DMC3028LSDX-13 还具有良好的温度稳定性,在高温环境下仍能保持较低的导通电阻,从而确保系统在各种工作条件下的稳定性和效率。

应用

DMC3028LSDX-13 主要用于以下应用场景:DC-DC 转换器和同步整流器,用于提高电源转换效率;
  在电池供电设备中作为负载开关或电源管理器件,以实现低功耗运行;
  在电机驱动和马达控制电路中作为高效功率开关;
  在电源管理系统中用于多路电源分配和控制;
  在工业自动化设备和消费类电子产品中用于功率控制和开关应用。

替代型号

Si7461DP, DMP2008UFG-13, NVTFS5C471NL, AO4406

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DMC3028LSDX-13参数

  • 现有数量0现货10,000Factory查看交期
  • 价格1 : ¥5.09000剪切带(CT)2,500 : ¥1.97050卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置N 和 P 沟道
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.5A,5.8A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)27 毫欧 @ 6A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13.2nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)641pF @ 15V
  • 功率 - 最大值1.2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SO