时间：2025/8/2 9:27:19
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DMC3028LSDX-13 是一款由 Diodes 公司生产的双 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和高效率的功率开关性能。这款 MOSFET 通常用于需要高效能、低功耗的电源管理系统中，例如 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备等应用。DMC3028LSDX-13 采用节省空间的 8 引脚 SOIC 封装，具有高可靠性和热稳定性。
类型：功率 MOSFET
沟道类型：双 N 沟道
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：6.3A（每个沟道）
导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=10V
导通电阻（RDS(on)）：36mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：8-SOIC
DMC3028LSDX-13 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。在 VGS=10V 时，RDS(on) 仅为 28mΩ，在 VGS=4.5V 时也仅为 36mΩ，这使得该器件适用于低电压驱动电路。
该 MOSFET 采用双 N 沟道结构，允许在一个封装中实现两个独立的功率开关，从而节省 PCB 空间并提高系统集成度。这种配置特别适用于需要多个开关的电源管理应用。
此外，DMC3028LSDX-13 的 8 引脚 SOIC 封装具有良好的热性能，能够有效地将热量散发到 PCB 上，从而提高器件在高电流应用中的可靠性。其栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容标准逻辑电平驱动器，便于与各种控制电路配合使用。
该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定程度的保护。这种特性在电源开关和电机控制等应用中尤为重要，因为它可以防止因感应负载引起的电压尖峰导致器件损坏。
DMC3028LSDX-13 还具有良好的温度稳定性，在高温环境下仍能保持较低的导通电阻，从而确保系统在各种工作条件下的稳定性和效率。
DMC3028LSDX-13 主要用于以下应用场景：DC-DC 转换器和同步整流器，用于提高电源转换效率；
在电池供电设备中作为负载开关或电源管理器件，以实现低功耗运行；
在电机驱动和马达控制电路中作为高效功率开关；
在电源管理系统中用于多路电源分配和控制；
在工业自动化设备和消费类电子产品中用于功率控制和开关应用。
Si7461DP, DMP2008UFG-13, NVTFS5C471NL, AO4406
