时间：2025/12/25 0:33:30
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EPF011D 是一种场效应晶体管（FET），通常用于高频和功率放大器应用中。该器件具有低噪声、高增益和良好的线性性能，适用于通信设备、射频模块和工业控制系统。EPF011D 通常采用双极性工艺制造，具备较高的稳定性和可靠性。
类型：场效应晶体管（FET）
最大漏源电压（VDS）：12V
最大栅源电压（VGS）：±3V
最大漏极电流（ID）：100mA
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-92 或 SOT-23
增益：15dB（典型值）
噪声系数：1.5dB（典型值）
频率范围：10MHz 至 1GHz
EPF011D 场效应晶体管具有优异的低噪声性能，适合用于射频和微波频段的放大应用。其高增益特性使得在信号链中能够提供足够的信号增强，从而减少后级放大器的需求。此外，该器件的线性度良好，能够在较宽的输入信号范围内保持较低的失真水平，从而提高整体系统的信号质量。EPF011D 还具备较高的稳定性，在不同的工作条件下（如温度变化和电源波动）仍能保持一致的性能表现。该器件的封装形式多样，便于在不同电路板设计中灵活使用，适应性强。由于其优良的高频特性，EPF011D 在无线通信、雷达系统和测试仪器中得到了广泛应用。
EPF011D 主要应用于射频前端放大器、低噪声放大器（LNA）、无线通信模块、测试与测量设备以及工业控制系统中的信号放大环节。该器件在需要高增益、低噪声和良好线性度的应用场景中表现出色。
BF862, BFG135, BF1107
