时间：2025/9/14 8:07:47
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PBRN123ET,215 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的电路设计中。该器件采用 TSSOP 封装，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性等特点。该型号适用于负载开关、电源管理、DC-DC 转换器、马达控制等多种功率电子应用。
类型: N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）: 20 V
栅源电压（VGS）: ±12 V
连续漏极电流（ID）: 8.8 A
导通电阻（RDS(on))：0.022 Ω @ VGS = 4.5 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSSOP
PBRN123ET,215 具有出色的电气性能和热管理能力，能够在高频率下稳定运行。其低导通电阻（RDS(on)）确保了在导通状态下功耗最小化，从而提高了整体系统效率。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，使其在严苛的工作环境中也能保持稳定运行。TSSOP 封装不仅节省空间，而且提高了 PCB 的布线灵活性，适合高密度电路设计。由于其优异的开关特性，该 MOSFET 在需要快速切换的应用中表现出色，例如在同步整流和高效电源转换系统中。
在可靠性方面，PBRN123ET,215 通过了严格的工业标准测试，确保在各种工作条件下的长期稳定性。其栅极设计优化了驱动电压的响应速度，减少了开关损耗，并降低了因电压尖峰而造成损坏的风险。这些特性使得该器件成为便携式设备、服务器电源系统、汽车电子和工业控制设备中的理想选择。
该器件主要应用于以下领域：电源管理系统、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、马达控制、电池供电设备、服务器和通信设备电源模块、汽车电子系统（如车载充电器和电机驱动）等。
Si2302DS, BSS138K, 2N7002K, FDS6675, AO4406
