时间：2025/8/9 14:26:24
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K1081是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），常用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用中。该器件采用TO-220封装形式，具有较高的耐压和电流能力，适用于中高功率场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：800V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：8A
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
K1081具有较高的漏源击穿电压，可达800V，使其适用于高电压应用。其8A的连续漏极电流能力可以满足中高功率电源和电机控制的需求。该器件的导通电阻较低，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，K1081具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较宽的温度范围内稳定工作。其TO-220封装设计便于散热，适合高密度电路布局。
K1081的栅极驱动电压范围较宽，通常在10V至20V之间可实现充分导通，适合多种驱动电路配置。该器件还具备较强的抗静电能力和可靠性，适用于工业控制、电源适配器、充电器和照明设备等应用场景。
K1081广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明驱动、逆变器和工业控制设备中。其高电压和中等电流特性使其在多种功率转换系统中表现出色。
K1568, K2146, IRF840, FQA8N80C
