PBR941B 时间：2025/12/27 21:12:28 阅读：11

PBR941B是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电路以及电机控制等高效率、高性能的电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术和场板设计，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在高频开关应用中表现出优异的性能。PBR941B封装于PowerFLAT 5x6封装中，具有较小的尺寸和良好的热性能，适合对空间要求较高的现代电子产品设计。该MOSFET专为中等电压应用而设计，在保证高可靠性的同时，能够承受较大的电流脉冲，并具备良好的雪崩耐受能力，增强了系统的鲁棒性。由于其低导通电阻和快速开关特性，PBR941B常用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关和电池供电设备中的电源控制模块。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，使其不仅适用于工业级应用，也能满足汽车电子系统的严苛要求。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100 V
　　连续漏极电流（Id）：80 A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：320 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：4.5 mΩ @ Vgs=10 V, Id=40 A
　　导通电阻Rds(on)：5.7 mΩ @ Vgs=4.5 V, Id=40 A
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：4200 pF @ Vds=50 V
　　输出电容（Coss）：950 pF @ Vds=50 V
　　反向恢复时间（trr）：35 ns
　　最大功耗（Ptot）：200 W @ Tc=25°C
　　工作结温范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6 (5x6mm)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

特性

PBR941B的核心优势在于其出色的导通性能与开关速度的平衡，这得益于STMicroelectronics成熟的沟槽型MOSFET工艺。该器件在Vgs=10V条件下，典型Rds(on)仅为4.5mΩ，极大降低了导通损耗，提升了系统效率，尤其适用于大电流、低电压的应用场景，如服务器电源、电动工具和电动汽车的辅助电源系统。其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著减少了驱动电路的能量消耗，使得在高频PWM控制下仍能保持高效运行。
　　该MOSFET具备优良的热稳定性，PowerFLAT 5x6封装提供了低热阻路径，确保热量能够有效传导至PCB，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。同时，器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载关断时提供额外保护，避免因电压尖峰导致损坏。
　　PBR941B还具有良好的动态性能，其输出电容Coss较小且非线性程度低，在不同Vds电压下保持稳定，有利于减少开关过程中的能量损耗。此外，该器件的体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=35ns），可有效降低在桥式电路或续流应用中的反向恢复损耗，防止误导通现象，提升整体系统效率。
　　值得一提的是，PBR941B通过了AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、机械冲击等严酷环境测试中表现优异，适用于汽车引擎舱内的电子控制单元（ECU）、车载充电机（OBC）、DC-DC变换器等关键部位。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）也使其能在极端环境下稳定工作。综合来看，PBR941B是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的先进功率MOSFET，适用于对效率和可靠性要求极高的现代电力电子系统。

应用

PBR941B广泛应用于多种高效率电源系统中，包括但不限于：大功率DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、通信基站电源模块中作为主开关或同步整流器使用；在电动工具、无人机和便携式设备中作为电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关；在汽车电子领域，用于车载逆变器、LED照明驱动、电机驱动控制器以及48V轻混系统中的功率切换模块；此外，它也适用于工业电机控制、UPS不间断电源、太阳能微型逆变器等需要高频率、高效率开关操作的场合。其小尺寸封装特别适合空间受限但功率密度要求高的设计。