制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash? Embedded Memory
　　存储容量：128 Mbit
　　存储器类型：NOR Flash
　　位宽：x8/x16
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：75ns
　　封装：64-TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　编程/擦除耐久性：100,000次（典型）
　　数据保持时间：20年（典型）
　　接口类型：并行
　　工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)

JS28F128P30TF75具备多项先进特性，使其在嵌入式闪存市场中具有显著优势。首先，该芯片采用多层单元（MLC）技术，在保持NOR闪存快速随机访问特性的基础上，显著提升了存储密度，降低了单位存储成本，适用于对成本敏感但又需要较高容量的应用场景。其次，其75ns的快速访问时间确保了高效的数据读取性能，支持实时操作系统（RTOS）中的代码直接执行（XIP, eXecute In Place），无需将程序加载到RAM中即可运行，从而节省系统资源并提升响应速度。
　　该器件支持x8和x16两种总线宽度模式，可通过硬件引脚配置自动识别或由软件设定，增强了与不同主控芯片的兼容性。其灵活的扇区架构包括多个可独立擦除的扇区（sector），最小擦除单位为64KB，允许精细管理存储内容，适用于固件更新、日志记录和参数存储等操作。此外，芯片内置智能写保护机制，包括软件写保护和硬件写保护（通过Vpp引脚或WP#信号），有效防止误擦除或误编程，保障关键数据的安全性。
　　JS28F128P30TF75还集成了片上状态机（State Machine），支持自动编程和自动擦除操作，减轻了主机处理器的负担。其内建的错误检测与纠正（ECC）功能可在读取过程中检测并修正单比特错误，显著提高数据完整性，延长器件使用寿命。该芯片符合工业级温度范围（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行，适用于户外通信设备、车载电子和工业自动化等应用场景。此外，其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。整体而言，该器件在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中高端嵌入式系统的理想选择。

JS28F128P30TF75广泛应用于多种需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像和配置文件，其快速启动能力和高可靠性确保网络设备能够迅速恢复正常运行。在工业控制方面，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和远程I/O模块中，保存控制程序、校准数据和运行日志，适应高温、震动等复杂工况。此外，在医疗设备如监护仪、超声成像系统中，JS28F128P30TF75用于存储固件和患者设置信息，其高数据保持能力和ECC保护机制满足医疗行业对安全性和稳定性的严格要求。
　　在消费类高端设备中，如数字电视、机顶盒和智能家居网关，该芯片支持XIP运行操作系统，减少对RAM的依赖，降低系统整体成本。汽车电子领域中，该器件可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘和车载信息娱乐系统（IVI），存储应用程序代码和用户偏好设置，其宽温特性和抗干扰能力符合车规级应用需求。此外，在测试与测量仪器、POS终端和安防监控设备中，JS28F128P30TF75也发挥着重要作用，提供持久、可靠的代码和数据存储解决方案。由于其并行接口带来的高带宽特性，特别适合需要频繁读取大量代码的场合，是替代传统EPROM和早期NOR闪存的理想升级方案。

MT28EW128ABA1LPC-0S3:3,MirrorBit? OR/NOR Flash with 128Mb density, similar performance and package
　　S29GL128P_00_10090: Spansion/GLI 128Mb NOR Flash, pin-compatible alternative with similar access time
　　IS28F128P30T: Integrated Silicon Solution Inc. compatible replacement with same timing and interface