类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：150V
　　连续漏极电流（Id）：80A
　　脉冲漏极电流（Idm）：320A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻Rds(on)：典型值4.5mΩ（最大值5.5mΩ）@ Vgs=10V
　　输入电容（Ciss）：典型值5000pF
　　输出电容（Coss）：典型值1200pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值45ns
　　阈值电压（Vth）：典型值3.5V
　　最大功耗（Ptot）：200W
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerSSO-36

PBA150STR采用STripFET?平面场截止工艺技术，这种先进的制造工艺通过优化漂移区掺杂分布和场截止层设计，显著降低了器件的导通电阻与开关损耗之间的折衷关系，从而实现了极低的Rds(on)值，在150V耐压等级下达到典型4.5mΩ的超低导通电阻，极大减少了传导损耗，提升了系统整体能效。该器件具有非常高的电流处理能力，连续漏极电流可达80A，脉冲电流高达320A，适合需要瞬态大电流响应的应用场景，如电机启动或负载突变情况下的稳定运行。
　　其PowerSSO-36封装不仅节省空间，而且具备优异的散热性能，底部暴露焊盘可有效将热量传导至PCB，降低热阻，提高长期工作的可靠性。此外，该封装支持表面贴装自动化生产，有利于现代高密度、高自动化的电路板组装流程，减少人工干预，提升生产效率与一致性。
　　PBA150STR具备优良的雪崩耐量能力，经过严格测试验证，可在单脉冲和重复脉冲条件下承受一定的雪崩能量而不损坏，这一特性对于防止因电感负载突然断开或线路故障引起的电压尖峰导致器件失效至关重要，提高了电源系统的安全性和耐用性。
　　该器件还表现出良好的dv/dt抗扰度，能够有效抑制快速电压变化引发的误触发问题，减少寄生导通风险，增强系统在复杂电磁环境中的稳定性。其栅极电荷（Qg）较低，典型值约为80nC，使得驱动电路设计更为简单，所需驱动功率更小，适用于高频PWM控制场合，例如LLC谐振变换器、同步整流拓扑或半桥/全桥架构中。
　　总体而言，PBA150STR结合了高性能、高可靠性和先进封装优势，是一款面向中高端功率电子应用的优选MOSFET器件，特别适用于追求小型化、高效化和高可靠性的现代电源系统设计需求。

PBA150STR广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其适用于要求高效率、高功率密度和良好热管理性能的场合。典型应用包括工业级AC-DC和DC-DC电源转换器，特别是在服务器电源、电信设备电源模块以及工业自动化电源系统中作为主开关管或同步整流器件使用。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于非隔离式降压（Buck）、升压（Boost）及双向转换器拓扑结构中，有效降低传导损耗，提升整体能效。
　　在电机驱动领域，PBA150STR可用于中小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，承担高频率开关任务，提供快速响应和稳定的电流输出能力，确保电机平稳运行并减少发热。其优异的热性能也支持长时间满载运行，满足工业设备对持续工作能力的要求。
　　此外，该器件适用于大功率LED照明驱动电源，尤其是在恒流源设计中作为主控开关元件，能够实现精准的电流调节和高效的能量转换，延长灯具使用寿命。在太阳能微逆变器或储能系统的DC-DC变换环节中，PBA150STR也可作为关键功率开关，参与最大功率点跟踪（MPPT）控制策略的执行。
　　由于其具备雪崩耐量和较强的抗干扰能力，PBA150STR还可用于存在感性负载切换的应用场景，如继电器驱动、电磁阀控制或电焊机电源模块中，有效应对电压反冲带来的应力冲击，保障系统安全。其表面贴装封装形式便于自动化生产，因此也被广泛采用在批量制造的消费类与工业类电子产品中，成为高性价比功率开关解决方案的重要组成部分。

STP150N15T7G
　　PBA150N15T7