时间：2025/6/10 11:56:08
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PB875-12900是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子应用。该芯片以其低导通电阻和高效率而著称，适用于需要高效能功率管理的场景。
该型号采用先进的半导体制造工艺，具备快速开关特性和良好的热性能，使其在高频工作条件下表现优异。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：40nC
开关速度：超快
封装形式：TO-247
PB875-12900具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，其快速的开关速度使得它非常适合高频应用场景，同时具备优秀的热稳定性，能够长时间稳定运行。该芯片还拥有出色的抗电磁干扰能力，确保在复杂电磁环境下仍能保持性能。
此外，PB875-12900支持宽范围的工作温度，从-55℃到175℃，使其适用于工业级和汽车级应用。内置的过流保护和热关断功能进一步提升了其可靠性和安全性。
这款芯片广泛应用于各类高功率密度场景中，包括但不限于服务器电源模块、通信设备电源、电动工具驱动电路、新能源汽车中的DC-DC转换器以及太阳能逆变器等。凭借其高效率和可靠性，PB875-12900成为设计工程师优化系统能耗的理想选择。
IRF840
STP36NF06
FDP5800
