尺寸封装：0603（1608）
　　电容值：4.7μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　温度特性：ΔC/C ≤ ±15%
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降明显
　　ESR（等效串联电阻）：低，典型值在几毫欧至几十毫欧之间
　　ESL（等效串联电感）：极低，适合高频去耦应用

ML06MT4R7 多层陶瓷电容器采用了先进的叠层制造工艺，将多个陶瓷介质层与内部金属电极交替堆叠并高温共烧而成，从而实现小尺寸下较高的电容密度。其使用的 X5R 类介电材料具有较稳定的温度响应特性，在 -55°C 到 +85°C 温度区间内电容变化不超过 ±15%，优于一般的 Y5V 材料，但相比 C0G（NP0）材质仍存在一定电容漂移。这种折衷设计使其在成本、体积与性能之间取得良好平衡，特别适合对空间敏感且不需要极高精度的应用场景。
　　该器件的一个显著特点是其优异的高频响应能力，得益于极低的等效串联电感（ESL）和合理的等效串联电阻（ESR），能够在数兆赫兹甚至更高频率下有效发挥去耦作用，抑制电源噪声，提升系统稳定性。此外，作为无磁性元件，它不会引入电磁干扰，适用于射频和高速数字电路。
　　值得注意的是，ML06MT4R7 的电容值会随着施加的直流偏置电压显著下降。例如，在接近额定电压 6.3V 时，实际可用电容可能仅为标称值的 50% 左右。因此在设计时必须参考厂商提供的直流偏压曲线进行降额使用，确保在工作条件下仍能满足最小电容需求。同时，该器件对机械应力较为敏感，安装过程中应避免 PCB 弯曲或热应力冲击导致裂纹或早期失效。推荐采用合适的焊盘设计和回流焊接工艺以提高可靠性。
　　整体而言，ML06MT4R7 凭借其紧凑尺寸、较高电容值及适中的稳定性，成为现代电子设备中不可或缺的基础元件之一，尤其适用于电池供电设备中的电源轨滤波和 IC 去耦。

ML06MT4R7 主要应用于各类消费类电子产品中，尤其是在空间受限且需要中等电容值进行电源去耦和滤波的场合。常见用途包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的处理器、传感器及射频模块的电源稳定电路。在这些设备中，它常被布置在电源管理单元（PMU）或 SoC 芯片附近，用于吸收瞬态电流波动，降低电源噪声，防止电压跌落影响系统运行。
　　此外，该型号也广泛用于便携式医疗设备、物联网终端节点、无线通信模块（如 Wi-Fi、蓝牙模组）以及小型嵌入式控制系统中。在这些应用场景中，稳定的电源供应至关重要，ML06MT4R7 能够有效滤除开关电源（DC-DC 转换器或 LDO 输出端）带来的纹波噪声，提升整体信号完整性和系统能效。
　　由于其具备良好的高频响应特性，ML06MT4R7 还可用于高速数字电路的局部去耦，例如微控制器、FPGA 和 ADC/DAC 芯片的 VDD 引脚旁路。在多层 PCB 设计中，通常将其放置在电源层与地层之间，配合过孔实现低阻抗回路，最大限度减少环路电感，提升去耦效率。
　　在工业控制和汽车电子领域，虽然该器件的工作温度上限为 +85°C，限制了其在严苛环境下的直接使用，但在车载信息娱乐系统或舱内传感器模块等温和环境中仍有应用潜力。只要合理控制工作电压和热应力，ML06MT4R7 可提供可靠的长期性能表现。

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　　 "GRM188R71E475KA12D",
　　 "CL21A475KOANNNC",
　　 "C1608X5R1E475K",
　　 "EMK107BBJ475KL-T"
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