类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：3A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A
　　最大正向压降（VF）：600mV @ 3A, 25°C
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 30V, 25°C
　　反向恢复时间（trr）：<10ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　热阻抗（RθJA）：约50°C/W
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　湿气敏感等级（MSL）：1级
　　符合标准：RoHS、无卤素

ES3B-13-F的核心优势在于其优异的电学性能和高可靠性，特别适合对效率和空间有严格要求的应用场景。
　　首先，该器件的最大重复峰值反向电压为30V，这一电压等级使其非常适合用于低压电源系统，如5V、12V或24V直流供电环境下的整流与续流操作。在这些系统中，过高的反向电压可能导致击穿风险，而ES3B-13-F提供的30V耐压能力提供了足够的安全裕度，同时避免了因选用过高耐压型号带来的额外成本和性能浪费。
　　其次，其平均整流电流可达3A，在同类SMA封装器件中处于较高水平，能够在持续负载下保持稳定的电流输出。这对于需要承载中等功率的应用（如USB电源管理、小型电机驱动或LED驱动电源）至关重要。配合高达80A的峰值正向浪涌电流能力，它还能承受瞬态大电流冲击，例如上电瞬间的电容充电电流，从而提升系统的鲁棒性和长期稳定性。
　　再者，ES3B-13-F的最大正向压降仅为600mV（在3A、25°C条件下测量），显著低于普通硅整流二极管（通常为0.7V~1.2V）。低VF意味着更少的能量以热量形式损耗，提高了电源转换效率，尤其在电池供电设备中可延长续航时间。例如，在一个3A负载下，其功耗仅为1.8W（P = VF × I），相比传统二极管可节省数百毫瓦甚至更多能量。
　　此外，该器件具备极短的反向恢复时间（trr < 10ns），这使其在高频开关电路中表现卓越。传统的P-N结二极管在关断时会产生明显的反向恢复电流，导致额外的开关损耗和噪声；而肖特基结构由于是多数载流子导通机制，不存在少数载流子存储效应，因此几乎没有反向恢复现象，极大降低了EMI辐射，有利于通过EMC认证。
　　最后，SMA封装不仅体积小巧（典型尺寸约为4.3mm x 2.4mm x 2.1mm），还具备良好的热传导性能，可通过PCB焊盘进行有效散热，进一步提升了功率密度和长期工作的可靠性。

ES3B-13-F广泛应用于各类中低功率电子系统中，尤其是在对能效、尺寸和响应速度有较高要求的场合。
　　在电源管理系统中，它常被用作开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和降压（Buck）拓扑结构中作为次级侧整流元件。由于其低正向压降和快速恢复特性，有助于提升整体转换效率，并减少对外部散热措施的需求，从而实现更紧凑的设计。
　　在DC-DC转换器模块中，无论是隔离型还是非隔离型，ES3B-13-F都可用作续流二极管或防止反接的保护二极管。例如，在同步整流尚未普及或成本受限的情况下，该器件可替代MOSFET作为低成本高效的整流方案。
　　此外，它也常见于AC适配器、充电器（如手机、平板、笔记本电脑外围设备供电单元）、LED照明驱动电源等消费电子产品中，承担整流和防倒灌功能。
　　在工业控制领域，该二极管可用于PLC模块、传感器供电电路、继电器驱动回路中的箝位和续流保护，防止感性负载断开时产生的高压反电动势损坏主控芯片。
　　通信设备中的电源板、网络交换机、路由器等也需要高效的小型化电源解决方案，ES3B-13-F凭借其高电流能力和小封装特点，成为理想选择。
　　汽车电子方面，虽然其未专门标定为AEC-Q101认证器件，但在部分非关键车载应用（如车载充电口、辅助电源模块）中仍可使用，前提是确保工作条件在其规格范围内。
　　总之，任何需要3A以下、30V以内高效整流、快速响应和节省空间的电路，都是ES3B-13-F的理想应用场景。

SS34
　　SR340
　　MBR340
　　SMS34
　　DM340