PAFE44I30YZR 是一款由 Rohm 生产的高速 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要应用于高频开关和功率转换场景。该器件采用小型化的 DFN 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效能和小尺寸设计的应用场合。
这款 MOSFET 的最大特点是其优化的栅极电荷和导通电阻参数,能够有效降低开关损耗并提升整体效率。此外,其出色的热性能使其能够在较高的功率密度下稳定工作。
类型:N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 VDS:30V
最大栅源电压 VGS:±20V
连续漏极电流 ID:44A
导通电阻 RDS(on):1.6mΩ(典型值,VGS=10V)
栅极电荷 Qg:25nC(典型值)
总电容 Ciss:2580pF(典型值)
封装形式:DFN8 5mm x 6mm
PAFE44I30YZR 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 RDS(on),确保在大电流应用中减少功率损耗。
2. 高速开关能力,适合高频 DC-DC 转换器、逆变器和电机驱动等应用。
3. 小型化封装设计,有助于减小 PCB 占用面积,满足紧凑型设计需求。
4. 出色的热性能和稳定性,支持长时间高负载运行。
5. 工作温度范围广,从 -55°C 到 +175°C,适应多种环境条件。
PAFE44I30YZR 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理模块。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电池管理系统及车载充电器。
5. 高效功率放大器和信号调节电路。
PAFE44I30YZT, PAFE44I30YZU