封装类型：DIP-8
　　最大输出功率：15W
　　工作频率：66kHz
　　启动电压：10V
　　工作温度范围：-40°C 至 150°C
　　最大漏极电压：725V
　　集成MOSFET电流限制：0.45A
　　待机功耗：<30mW
　　效率等级：符合CoC Tier 2标准

PA868C15R 的核心特性之一是其高度集成的设计，内置725V的高压MOSFET，无需外接高压启动电阻，显著减少了外围元件数量，提高了系统的稳定性与可靠性。此外，该芯片采用了EcoSmart? 技术，能够在各种负载条件下实现极低的待机功耗，通常低于30mW，满足现代能效标准。芯片还具备多种保护功能，如过温保护（OTP）、过压保护（OVP）、过流保护（OCP）以及输入电压过低保护（Brown-out Protection），确保系统在各种异常情况下都能安全运行。
　　PA868C15R 支持宽范围的输入电压（85VAC至265VAC），适用于全球通用的交流输入电源。其固定频率的电流模式控制架构，提供了良好的动态响应和稳定的输出性能。此外，该芯片具备频率抖动功能，有助于降低电磁干扰（EMI），简化了EMI滤波电路的设计。在轻载和无载条件下，芯片自动进入频率折返模式（Frequency Foldback），从而进一步降低功耗并保持输出电压稳定。
　　该芯片还集成了软启动功能，防止开机时的电流冲击，提高了系统的稳定性和寿命。其封装形式为DIP-8，便于PCB布局和散热设计，适用于紧凑型电源应用。PA868C15R 符合RoHS环保标准，是一款绿色节能的电源管理芯片。

PA868C15R 广泛应用于多种小功率电源设备，如手机充电器、USB适配器、智能电表、工业控制电源、白色家电辅助电源、LED照明驱动电源以及物联网设备的电源模块等。其高集成度和优异的能效表现使其成为替代传统反激式电源控制器+分立MOSFET方案的理想选择。此外，PA868C15R 也非常适用于需要高可靠性和紧凑设计的消费类电子产品和工业设备，特别是在对能效和EMI性能有严格要求的应用场景中表现出色。

PA868C15R的替代型号包括PA868C15T、PA868C12R和PA868C15V