制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：80 Mbit
　　存储组织：4 M x 16
　　接口类型：并行（16位）
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP-56
　　访问时间：70ns
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除/整片擦除
　　写保护功能：支持硬件写保护
　　总线宽度：16位
　　待机电流：≤ 200 μA
　　工作电流：≤ 30 mA（典型值）

PA28F800B5T70具备多项关键技术特性，使其在嵌入式系统中表现出色。
　　首先，该芯片采用了Intel的StrataFlash技术，支持多层存储单元状态识别，虽然在该型号中主要以单层存储（Single-Level Cell, SLC）模式运行，但其架构为后续兼容多层数据存储奠定了基础。这种设计提升了存储密度的同时，保持了NOR Flash固有的快速随机访问能力，特别适合执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景，无需将程序加载到RAM即可直接运行，大幅节省系统资源并提升启动速度。
　　其次，该器件支持灵活的扇区架构，整个存储空间被划分为多个可独立擦除的扇区，允许用户对特定区域进行更新而不影响其他数据，这对于固件升级和日志记录等应用场景至关重要。每个扇区的大小通常为64 KB或128 KB，具体划分可在数据手册中查阅。此外，芯片内置了硬件写保护机制，可通过控制特定引脚（如WP#）来防止意外写入或擦除操作，增强数据安全性。
　　再者，PA28F800B5T70具备良好的电气兼容性，支持低功耗模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的工作时间。其70ns的访问时间保证了在高频系统总线下的稳定运行，适用于时钟频率较高的处理器接口。同时，该芯片集成了内部电荷泵电路，用于生成编程和擦除所需的高压，无需外部提供额外的高压电源，简化了系统设计复杂度。
　　最后，该器件通过了严格的工业级认证，可在-40°C至+85°C的宽温范围内可靠工作，适应各种严苛环境。其TSOP-56封装具有良好的散热性能和焊接可靠性，适合自动化贴片生产。尽管当前新型串行闪存（如SPI NOR Flash）在成本和体积上更具优势，但PA28F800B5T70在需要高带宽并行接口和直接执行代码能力的场合仍具不可替代性。

PA28F800B5T70主要用于需要高可靠性、快速启动和直接执行代码能力的嵌入式系统中。
　　在工业自动化领域，该芯片常用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备和工业I/O模块中，存储操作系统引导程序、控制算法和配置参数，确保设备在断电重启后能迅速恢复运行。
　　在通信设备方面，该器件被广泛应用于路由器、交换机、DSL调制解调器和基站控制器中，作为Boot ROM或固件存储器。其并行接口能够满足高速数据传输需求，支持处理器快速加载操作系统镜像，缩短设备启动时间。
　　在网络打印设备和多功能一体机中，PA28F800B5T70用于存储打印机固件、字体库和网络协议栈，确保打印任务的稳定执行和远程管理功能的实现。
　　此外，该芯片也被用于医疗设备、测试仪器和军事电子系统中，因其具备高数据完整性和长期稳定性，在关键任务系统中发挥重要作用。
　　由于其支持XIP（就地执行）功能，特别适合与MCU或MPU配合使用，在没有外部RAM或RAM容量有限的系统中直接从Flash运行代码，减少系统成本并提高响应速度。
　　随着技术发展，虽然该型号已逐步退出主流市场，但在设备维修、备件替换和旧系统升级中仍存在实际需求，尤其是在无法更换主控平台的情况下，PA28F800B5T70仍是可靠的存储解决方案之一。

S29GL064N90TF101
　　S29GL064N90TF103
　　MT28EW080ABA
　　IS28F008J3G