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DMG4406LSS 发布时间 时间:2025/6/6 8:49:37 查看 阅读:5

DMG4406LSS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用小型表面贴装封装 (SOT-23)。该器件具有低导通电阻和快速开关速度,适用于多种高效能开关应用,例如电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及便携式电子设备中的保护电路。
  DMG4406LSS 的设计使其能够承受较高的漏源电压,并在低压条件下保持较低的导通损耗,从而提升整体系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):75mΩ
  栅极电荷:2.8nC
  总电容(输入电容):440pF
  功耗:390mW
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

DMG4406LSS 具有以下显著特点:
  1. 小型化封装,适合高密度 PCB 布局。
  2. 极低的导通电阻,在轻载或重载条件下均可实现高效运行。
  3. 快速开关能力,减少开关损耗并提高高频性能。
  4. 高耐压能力,确保在高压环境下的可靠性。
  5. 稳定的工作温度范围,适应各种极端条件的应用场景。
  6. 可靠性高,具备出色的 ESD 保护性能。

应用

DMG4406LSS 广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
  2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
  3. 电池保护电路。
  4. 电源管理模块。
  5. 开关模式电源 (SMPS) 中的初级或次级侧开关。
  6. 各种需要高效开关和低功耗的工业控制与消费类电子产品。

替代型号

DMG4420USM, BSS138, FDS8444

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