时间：2025/6/6 8:49:37
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DMG4406LSS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型表面贴装封装 (SOT-23)。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适用于多种高效能开关应用，例如电源管理、负载开关、DC-DC 转换器以及便携式电子设备中的保护电路。
DMG4406LSS 的设计使其能够承受较高的漏源电压，并在低压条件下保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：2.8nC
总电容（输入电容）：440pF
功耗：390mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
DMG4406LSS 具有以下显著特点：
1. 小型化封装，适合高密度 PCB 布局。
2. 极低的导通电阻，在轻载或重载条件下均可实现高效运行。
3. 快速开关能力，减少开关损耗并提高高频性能。
4. 高耐压能力，确保在高压环境下的可靠性。
5. 稳定的工作温度范围，适应各种极端条件的应用场景。
6. 可靠性高，具备出色的 ESD 保护性能。
DMG4406LSS 广泛应用于以下领域：
1. 手机和平板电脑等便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电池保护电路。
4. 电源管理模块。
5. 开关模式电源 (SMPS) 中的初级或次级侧开关。
6. 各种需要高效开关和低功耗的工业控制与消费类电子产品。
DMG4420USM, BSS138, FDS8444
