类型：双通道 MOSFET 驱动器
　　工作电压范围：4.5V 至 18V
　　高侧驱动电压能力：高达 120V
　　低侧驱动电压能力：0 至 18V
　　驱动电流能力：峰值驱动电流可达 1.5A
　　输入信号兼容性：3.3V、5V 及 15V 逻辑电平
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：8 引脚 SOIC

DMTH8008SPSW 的核心特性之一是其双通道高/低侧驱动能力，能够高效地驱动 N 沟道 MOSFET，适用于半桥或全桥拓扑结构。其内部集成的自举电路可简化外部组件设计，同时具备欠压锁定（UVLO）功能，在电源电压不足时自动关闭输出，保护系统安全。
　　该器件具有快速的传输延迟时间（通常为 30ns）和较小的通道间延迟匹配（小于 5ns），适用于高频开关应用，有助于提高系统效率和响应速度。此外，DMTH8008SPSW 还具备良好的抗 dv/dt 能力，能够在高压高速开关环境下保持稳定运行，减少误触发风险。
　　在保护功能方面，DMTH8008SPSW 设计了交叉导通保护和互锁机制，防止上下管同时导通造成短路，提高系统的安全性和可靠性。其高侧浮动电源电压可支持高达 120V，适用于多种功率转换拓扑，如同步整流、DC-DC 升压/降压转换器、逆变器等。
　　DMTH8008SPSW 采用 8 引脚 SOIC 封装，具有良好的散热性能和空间利用率，适用于紧凑型电源设计。该器件符合 RoHS 环保标准，广泛应用于工业自动化、电动汽车、通信电源、可再生能源系统等领域。

DMTH8008SPSW 主要用于需要高侧和低侧驱动能力的功率转换系统中，如同步整流器、DC-DC 转换器、马达驱动器、逆变器和开关电源等。在电动汽车充电系统、工业电源、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中，DMTH8008SPSW 可提供高效、稳定的 MOSFET 驱动解决方案。此外，该器件也可用于电机控制、LED 驱动器和家电变频控制系统中，满足多种高电压、高频率应用需求。

UCC27211A, IRS2104S, NCP2181, FAN73802, LM5109B