P9NK70ZFP 时间：2025/7/23 6:23:35 阅读：8

P9NK70ZFP是一款高性能的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各种高功率电子设备中。P9NK70ZFP采用先进的制造工艺，确保了在高频率和高负载条件下的稳定性和可靠性。其封装形式为TO-220FP，便于散热并适用于多种PCB布局。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：9A
　　最大漏-源电压：700V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.85Ω（最大）
　　栅极阈值电压：2V至4V
　　最大栅极-源极电压：±20V
　　最大功耗：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

P9NK70ZFP具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率MOSFET领域中表现突出。首先，其最大漏极电流为9A，能够支持较高功率的应用需求，同时具备良好的电流承载能力。其次，该器件的最大漏-源电压达到700V，使其适用于高电压环境，如开关电源和工业控制设备。此外，P9NK70ZFP的导通电阻（Rds(on)）仅为0.85Ω，在同类产品中具有较低的损耗，从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2V至4V，使其在多种控制电路中都能灵活应用。最大栅极-源极电压为±20V，提供了良好的栅极保护能力，防止因电压过高而导致器件损坏。同时，P9NK70ZFP的最大功耗为50W，能够在高负载条件下保持稳定运行，不会因过热而失效。工作温度范围为-55°C至+150°C，确保了其在极端环境下的可靠性。
　　此外，P9NK70ZFP采用TO-220FP封装，这种封装形式具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，提高器件的长期稳定性。该封装还便于安装在散热片上，进一步增强其散热能力，适用于高功率密度的设计。综上所述，P9NK70ZFP是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种高要求的电子应用领域。