D2816-3 时间：2025/10/29 10:14:11 阅读：8

D2816-3是一款由Intel公司推出的早期NMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于D2800系列中的一员。该芯片于1970年代末至1980年代初广泛应用于早期的微型计算机、工业控制设备以及通信系统中。D2816-3的具体容量为2K x 8位，即总共有16,384位存储空间，组织形式为2048个地址，每个地址存储8位数据。这款芯片采用双列直插式封装（DIP），通常为24引脚，便于在当时的电路板上进行插装和焊接。D2816-3的工作电压一般为+5V，符合当时TTL电平标准，能够与多种逻辑电路直接接口。作为一款静态RAM，它不需要动态刷新电路即可保持数据稳定，因此在实时性和可靠性要求较高的系统中具有优势。尽管其存储容量相对于现代标准来说非常有限，但在其问世的时代，D2816-3代表了较高集成度和较快访问速度的技术水平。随着半导体技术的发展，该芯片逐渐被更高密度、更低功耗的器件所取代，但仍在一些老旧设备维护、复古计算项目以及历史研究中具有一定的参考价值。

参数

型号：D2816-3
　　制造商：Intel
　　类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　工艺技术：NMOS
　　容量：2K x 8位（16Kb）
　　封装形式：24引脚双列直插封装（DIP）
　　工作电压：+5V ± 5%
　　访问时间：典型值为200ns或300ns（具体取决于后缀版本）
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）
　　引脚配置：A0-A10（地址输入）、DQ0-DQ7（数据输入/输出）、CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）
　　功耗：典型工作状态下约为200mW
　　兼容性：与TTL电平兼容
　　封装材质：陶瓷或塑料DIP
　　刷新需求：无（静态存储器）

特性

D2816-3作为一款经典的早期SRAM芯片，具备多项在当时具有先进性的电气与结构特性。首先，其采用NMOS工艺制造，相较于早期的PMOS和双极型技术，在速度和功耗之间实现了较好的平衡。该芯片的静态设计意味着只要持续供电，存储的数据就能保持不变，无需像动态RAM那样周期性地刷新，这极大简化了系统设计并提高了数据稳定性，特别适用于实时控制系统和嵌入式应用。
　　其次，D2816-3的2K x 8位组织方式使其能够直接支持字节级数据存取，非常适合8位微处理器架构，如Intel 8080、Zilog Z80等。其地址线A0-A10共11根，可寻址2048个独立位置，数据线为双向三态结构，通过WE和OE信号控制读写操作。片选（CE）信号允许在多芯片系统中进行存储器扩展和地址译码，从而构建更大的内存空间。此外，该芯片支持异步操作，响应外部控制信号的变化，适应性强。
　　在性能方面，D2816-3提供了典型的200ns或300ns访问时间，满足当时大多数微处理器的时序要求。虽然相比现代SRAM动辄几纳秒的速度显得缓慢，但在其时代背景下已属高性能产品。其TTL电平兼容性也降低了接口设计难度，无需额外的电平转换电路即可与常见逻辑芯片协同工作。总体而言，D2816-3以其可靠性、易用性和良好的系统集成能力，在早期计算机和工业电子领域发挥了重要作用，并为后续高密度存储器的发展奠定了基础。

应用

D2816-3的应用主要集中在1970年代末到1980年代中期的电子系统中。它被广泛用于早期的微型计算机系统，作为主存储器或高速缓存使用，尤其是在基于Z80、8080等8位CPU的个人计算机和工作站中。例如，许多早期的工业控制器、数控机床（CNC）系统和自动化测试设备都采用了D2816-3来存储运行中的程序代码和临时数据。由于其静态特性，这些系统能够在不中断电源的情况下长时间保持关键信息，提升了系统的可靠性和响应速度。
　　此外，D2816-3也被应用于通信设备中，如调制解调器、终端控制器和早期网络接口卡，用于缓冲传输过程中的数据包或配置信息。在军事和航空航天领域的一些非极端环境系统中，该芯片也曾用于嵌入式控制单元，执行特定任务的实时数据处理。尽管后来被更先进的存储器替代，但在设备维修、旧系统恢复以及复古计算爱好者社区中，D2816-3仍然具有实际用途。如今，它更多地出现在教学演示、历史展览和技术文献研究中，作为半导体发展史上的一个重要里程碑。