P9NK70Z 时间：2025/7/23 9:57:08 阅读：6

P9NK70Z 是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关等多种高功率应用场景。P9NK70Z 采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于工业级工作温度范围。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：700V
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω（最大值1.1Ω）
　　功率耗散（Ptot）：80W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

P9NK70Z 的核心特性包括高耐压能力和较低的导通电阻，使其在高压开关应用中表现出色。该器件采用了先进的平面技术，提供良好的热稳定性和高雪崩能量承受能力。其快速恢复特性有助于减少开关损耗，提高电源转换效率。此外，P9NK70Z 具有较高的抗干扰能力，可在恶劣工作环境下稳定运行。
　　在结构设计上，P9NK70Z 采用高纯度硅材料和优化的芯片布局，有效降低了寄生电容和漏电流。该器件还具备良好的短路保护性能，可以在异常工况下提供额外的安全保障。由于其TO-220封装形式，P9NK70Z 在PCB安装时具有良好的机械稳定性和散热能力，适用于各种工业和消费类电子设备。

应用

P9NK70Z 常用于各种功率电子系统中，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、照明控制系统和负载开关应用。该器件特别适合需要高耐压和中等电流能力的场合，如工业自动化设备、家电控制模块、智能电表和电池管理系统。由于其优异的开关特性和热稳定性，P9NK70Z 也广泛应用于高频开关电源和节能照明系统中。