KRC826E-RTK/P 时间：2025/9/12 9:06:28 阅读：5

KRC826E-RTK/P 是一款由KEC（高荣半导体）制造的NPN型双极结型晶体管（BJT），广泛用于高频放大和开关应用。该晶体管采用了先进的硅外延平面工艺，具有良好的高频响应和稳定的电气特性。适用于射频（RF）和中频（IF）放大器、数字逻辑电路和功率开关电路等应用领域。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：TO-92

特性

KRC826E-RTK/P 晶体管具有多个显著特性，适用于多种电子电路设计需求。
　　首先，它具有较高的电流增益（hFE），范围从110到800，根据不同的等级划分，可以满足不同放大需求。这使得该晶体管在需要高增益放大的电路中表现优异，例如音频放大器或射频信号放大电路。
　　其次，该晶体管的工作频率高达250MHz，使其非常适合用于高频应用。例如，在射频接收机或发射机的前置放大器中，能够提供良好的频率响应和信号增益。
　　此外，KRC826E-RTK/P 采用TO-92封装，这种封装形式不仅体积小，而且具有良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。同时，该封装便于手工焊接和自动化装配，适用于多种生产环境。
　　该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为30V，使其能够在中等功率应用中稳定工作。例如，在数字逻辑电路中作为开关元件，或在小型电源调节电路中作为控制元件使用。
　　最后，该晶体管的功耗为300mW，能够在较高工作温度下保持稳定运行，适用于工业级和消费类电子产品。

应用

KRC826E-RTK/P 晶体管广泛应用于多个电子领域。在射频（RF）和中频（IF）放大电路中，该晶体管可以作为前置放大器或中间放大器，提供高增益和低噪声的信号放大。在数字逻辑电路中，它可以用作开关元件，控制LED、继电器或小型电机等负载。此外，该晶体管也可用于音频放大电路、信号调节电路以及小型电源管理电路中。由于其高频特性和良好的稳定性，该晶体管也常用于无线通信模块、遥控设备和传感器电路中。