时间：2025/6/20 14:12:45
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P85NF55L 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高功率应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特性，能够在高频和高压条件下提供卓越的性能表现。
这款 MOSFET 的封装形式通常是 TO-247 或 TO-220，具体取决于制造商的设计规范。其设计旨在满足工业控制、汽车电子和消费类电子产品对效率和可靠性的严格要求。
最大漏源电压：550V
最大漏极电流：85A
导通电阻：0.13Ω
栅极电荷：150nC
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
P85NF55L 具备以下关键特性：
1. 高耐压能力：最大漏源电压为 550V，适用于高压环境下的电路设计。
2. 大电流承载能力：支持高达 85A 的漏极电流，确保在高负载条件下的稳定运行。
3. 低导通电阻：典型值为 0.13Ω，在降低传导损耗的同时提高了整体能效。
4. 快速开关特性：由于其优化的栅极电荷参数，能够实现快速开关操作，减少开关温工作范围：从 -55℃ 到 +150℃ 的工作温度区间，使其适合各种恶劣环境中的应用。
6. 高可靠性：经过严格测试，保证长期使用过程中的稳定性与安全性。
P85NF55L 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器中，提升电源转换效率。
2. 电机驱动：适用于各类无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动控制。
3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他电力逆变器系统中发挥重要作用。
4. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等需要高效功率管理的场合。
5. 汽车电子：包括电动车充电系统、车载电子设备等高可靠性需求的应用场景。
IRFP250N, STP85N55K5, FDP85N55
