P80NE03L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件适用于高电流和高频开关应用,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优良的热性能。P80NE03L采用TO-220AB封装形式,适用于各种电源管理和功率转换电路。
类型:N沟道MOSFET
漏极电流(Id):80A
漏极-源极击穿电压(Vds):30V
栅极-源极电压(Vgs):±20V
导通电阻(Rds(on)):0.0042Ω @ Vgs=10V
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220AB
P80NE03L具有非常低的导通电阻,使其在高电流条件下能保持较低的功耗,从而提高系统效率。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽,支持快速开关操作,有助于减少开关损耗并提升电路的响应速度。
此外,P80NE03L具有优异的热稳定性和可靠性,适用于高功率密度应用,即使在高温环境下也能保持稳定工作。
其TO-220AB封装提供了良好的散热性能,适合用于需要散热设计的电路中,如电源模块、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。
该器件还具备较高的短路耐受能力,确保在突发故障情况下具备一定的保护能力。
P80NE03L广泛应用于各种电源管理和功率控制领域,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、服务器电源和工业控制系统等。
此外,由于其低导通电阻和快速开关特性,P80NE03L也适用于高频开关电源设计,能够有效提高电源转换效率并减少发热问题。
在电动汽车、可再生能源系统以及高功率LED驱动等新兴应用中,P80NE03L也具有良好的适应性和可靠性表现。
IRF1404, FDP80N03SL, NTD80N03R2LT4G, STP80NF03L