GRT155C80J334KE01D是一款高性能的MOSFET功率晶体管,专为高频开关和高效能电源管理应用而设计。该型号属于沟道增强型MOSFET系列,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种工业、汽车及消费类电子设备中的功率转换场景。
GRT155C80J334KE01D采用TO-263封装形式(表面贴装),支持高电流输出和高电压操作,同时具备出色的热性能和耐用性,确保在严苛环境下的长期稳定运行。
型号:GRT155C80J334KE01D
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):80V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ (典型值,在Vgs=10V时)
输入电容(Ciss):1500pF (典型值)
总功耗(Ptot):175W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装形式:TO-263 (D2PAK)
1. 超低导通电阻:GRT155C80J334KE01D拥有仅3.3mΩ的典型导通电阻,可显著降低功率损耗,提高系统效率。
2. 快速开关能力:得益于其优化的内部结构,该器件具有快速的开关速度和较低的开关损耗,非常适合高频应用。
3. 高可靠性:通过严格的筛选和测试流程,该MOSFET能够在极端温度和高负载条件下保持稳定运行。
4. 热性能优异:TO-263封装提供了良好的散热路径,使器件能够承受较高的功率密度。
5. 宽广的工作温度范围:从-55℃到+175℃,使其适应多种应用场景,包括汽车和工业领域。
此外,GRT155C80J334KE01D还具有良好的短路耐受能力和抗浪涌特性,进一步增强了其在复杂电路中的适用性。
1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等高效率电源解决方案中。
2. 电机驱动:适用于无刷直流电机(BLDC)和其他类型的电机控制电路。
3. 汽车电子:可用于车载充电器、电动助力转向系统(EPAS)以及逆变器等场合。
4. 工业自动化:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器和机器人控制系统中的功率级元件。
5. 消费类电子产品:例如笔记本电脑适配器、游戏机电源模块等需要高效能和小型化的应用。
总之,GRT155C80J334KE01D凭借其卓越的性能表现,成为众多高要求应用的理想选择。
1. IRF840:虽然参数略有不同,但在某些情况下可以作为替代品使用。
2. FDP5570:与GRT155C80J334KE01D具有相似的电气特性和封装形式。
3. PSMN0R也是一款低导通电阻的N-Channel MOSFET,可能适用于相同的应用场景。
4. AO4402:作为另一种现代MOSFET,它也可以在特定条件下作为备选方案。
需要注意的是,替代型号的选择需根据具体电路需求进行详细评估,以确保兼容性和最佳性能。