型号：P80CL410HFT-3
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：80V
　　连续漏极电流(ID)：16A @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)：62A
　　导通电阻(RDS(on))：9.5mΩ @ VGS=10V, ID=8A
　　导通电阻(RDS(on))：12mΩ @ VGS=4.5V, ID=8A
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 3.0V
　　栅极电荷(Qg)：18nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：800pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：28ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerFLAT 3x3

P80CL410HFT-3采用ST先进的TrenchFET沟道技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为9.5mΩ，极大地降低了传导损耗，提升了电源系统的转换效率。在VGS=4.5V条件下，RDS(on)仍保持在12mΩ，表明其在低驱动电压下依然具备良好的导通能力，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场合，如微控制器控制的开关电路。其栅极电荷Qg仅为18nC，意味着驱动该MOSFET所需的能量较低，有助于减少驱动电路的设计复杂度并降低动态损耗。此外，器件的输入电容Ciss为800pF，在高频开关应用中表现出良好的响应特性，适合用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑。
　　该MOSFET的封装采用PowerFLAT 3x3设计，底部带有暴露焊盘，可有效将热量从芯片传导至PCB，提升散热效率。相较于传统的SO-8封装，PowerFLAT 3x3在尺寸上大幅缩小，仅为3mm x 3mm，非常适合高密度布局的便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。其热阻RθJA约为50°C/W，结合适当的PCB铜箔设计，可支持持续大电流工作。器件还具备出色的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中承受一定的能量冲击，提高了系统的鲁棒性。
　　P80CL410HFT-3的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端环境温度下可靠运行，适用于工业控制、汽车电子外围电源管理等严苛应用场景。其符合RoHS指令，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环保的要求。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏置测试（HTRB）、高温栅极偏置测试（HTGB）等，确保长期使用的稳定性。其快速的反向恢复时间（trr=28ns）也减少了体二极管在同步整流中的损耗，进一步提升了系统效率。

P80CL410HFT-3主要应用于需要高效、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用包括同步降压转换器，作为高边或低边开关使用，尤其适用于多相VRM（电压调节模块）设计，为CPU或GPU提供稳定的供电。在DC-DC电源模块中，该器件可用于隔离或非隔离拓扑结构中的主开关元件，实现高效的能量转换。此外，它常被用于负载开关电路，控制电源路径的通断，防止浪涌电流并对多个电源域进行管理，常见于笔记本电脑、移动终端和嵌入式系统中。
　　在电池供电设备中，P80CL410HFT-3可用于电池保护电路或充电管理系统的开关控制，利用其低导通电阻减少能量损耗，延长电池续航时间。其快速开关特性也使其适用于电机驱动中的H桥电路，控制小型直流电机或步进电机的正反转与启停。在LED驱动电源中，该MOSFET可作为恒流调节开关，配合PWM调光实现亮度控制。此外，由于其良好的热性能和紧凑封装，该器件也被广泛用于热插拔控制器、热备份电源系统以及服务器电源模块中，保障系统在不断电情况下的安全接入与切换。工业自动化设备中的传感器供电、PLC模块电源管理等也是其重要应用领域。

STL160N8F3-1
　　IRF7473PbF
　　AOZ5233CI