型号：P8095BH
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：900 V
　　最大集电极电流（IC）：4 A
　　最大集电极功耗（PC）：125 W
　　直流电流增益（hFE）：最小值 20，典型值 40（测试条件 IC = 2 A, VCE = 5 V）
　　过渡频率（fT）：典型值 4 MHz
　　最高工作结温（Tj）：150 °C
　　封装形式：TO-220

P8095BH作为一款高压NPN双极型晶体管，具备出色的电气性能和热稳定性，特别适用于高电压开关应用。其最大的特点之一是高达900V的集电极-发射极击穿电压（VCEO），这使得它可以在高压环境中可靠运行，例如在离线式开关电源中直接连接整流后的市电母线电压。这种高耐压能力减少了对外部保护电路的依赖，简化了系统设计并提高了整体可靠性。
　　该器件的额定集电极电流为4A，最大功耗可达125W，配合TO-220封装良好的导热性能，可在自然冷却或加装散热片的情况下长期稳定工作。这对于需要持续输出较大功率的应用场景尤为重要，如工业电源模块、荧光灯镇流器和小型逆变器等。同时，P8095BH具备适中的电流增益（hFE），通常在20至40之间，这保证了足够的驱动灵敏度，又避免了因增益过高而导致的温度漂移问题。
　　在动态性能方面，P8095BH的过渡频率（fT）约为4MHz，虽然不及现代高速MOSFET或IGBT，但在传统的PWM控制拓扑中仍能满足大多数中频开关需求。其开关时间（包括延迟时间、上升时间、存储时间和下降时间）经过优化，能够在几十千赫兹的工作频率下实现较低的开关损耗。此外，该晶体管对二次击穿现象有一定的抑制能力，增强了在感性负载或短路情况下的安全裕度。
　　P8095BH还具有良好的温度适应性，最高结温可达150°C，并且在整个工作温度范围内参数变化相对平稳。这使其能在恶劣环境条件下保持稳定运行，适用于工业级应用场景。总体而言，尽管P8095BH属于较早一代的功率BJT产品，但由于其成熟的设计、可靠的性能和广泛的可获得性，仍在许多现有设备中被广泛采用和替换使用。

P8095BH主要应用于各类中高电压开关电源系统中，包括离线式AC-DC转换器、电视机和显示器的行输出级电路、电子镇流器、不间断电源（UPS）、小型逆变器以及工业控制设备中的功率驱动模块。由于其900V的高击穿电压特性，常用于直接接入整流后市电电压（约300V~400V）的电路中，作为主开关管或推动管使用。在传统CRT显示器和电视中，P8095BH曾广泛用于水平偏转和高压生成电路，驱动行输出变压器产生阳极高压。此外，在一些老式复印机、传真机和激光打印机的高压电源部分也能见到该器件的身影。
　　在照明领域，P8095BH可用于荧光灯或高压钠灯的电子镇流器设计中，承担振荡和功率放大功能。其较高的功率处理能力和对谐振电路的良好适应性，使其能够高效地驱动感性负载。在工业自动化系统中，该晶体管也常用于继电器驱动、电机控制和直流电源稳压电路中，尤其是在需要承受瞬态高压和大电流冲击的场合表现出良好的鲁棒性。
　　尽管近年来越来越多的设计转向使用MOSFET或IGBT以提高效率和频率响应，但在维修、替换和成本敏感型项目中，P8095BH依然具有重要地位。许多老旧设备的维护和备件更换仍然依赖于此类经典型号，因此其市场存量和供应链支持较为稳定。此外，在教育实验和原型开发中，由于其结构简单、参数明确、易于驱动，也被用作教学示范和电路验证的理想元件之一。

BDW93C
　　2SC5386
　　BUT12A
　　BU406
　　2SD1403