时间：2025/6/21 3:03:26
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HMJ316BB7473KLHT是一款高性能的功率MOSFET器件，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电力电子领域。该芯片具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提升电路效率并降低功耗。
其封装形式为TO-252（DPAK），具备较高的电流承载能力，同时内置了过温保护和过流保护功能，确保在极端条件下的稳定性与可靠性。
型号：HMJ316BB7473KLHT
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：30A
导通电阻：1.5mΩ（典型值）
总栅极电荷：35nC
开关频率：高达1MHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装：TO-252（DPAK）
HMJ316BB7473KLHT采用了先进的制造工艺，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了传导损耗。此外，该器件具有快速的开关速度和较低的栅极电荷，适合高频应用环境。
内置的过温保护和过流保护功能增强了系统的可靠性，在异常情况下能够自动关闭以避免永久性损坏。其紧凑的封装设计使得PCB布局更加灵活，同时减少了寄生电感的影响。
该器件还具有出色的热性能，能够在高温环境下长时间稳定运行，适用于工业级和汽车级应用需求。
HMJ316BB7473KLHT主要应用于需要高效功率转换和控制的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机驱动
- 工业自动化设备
- 电动工具
- 汽车电子系统
- LED驱动器
由于其高效率和可靠性，这款MOSFET特别适合对能耗和散热有严格要求的高端应用。
IRFZ44N
FDP5800
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