P7NC70ZF是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件适用于高功率和高频应用,广泛用于电源转换器、电机控制、LED照明、开关电源(SMPS)以及汽车电子等领域。P7NC70ZF采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合在高温环境下工作。
类型:N沟道
最大漏源电压(Vds):700V
最大漏极电流(Id):7A
导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω(典型值)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
最大功率耗散(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C~150°C
封装形式:TO-220
极间电容(Ciss):约900pF
开关时间(导通/关断):约50ns/150ns
短路耐受能力:有
P7NC70ZF具备多个优良的电气和物理特性,使其在各种功率应用中表现出色。首先,其高耐压能力(700V)使其适用于高压电源和变换器设计,能够承受较高的瞬态电压冲击。其次,7A的额定漏极电流足以支持中高功率负载的控制需求,例如电机驱动和LED照明系统。此外,该MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on)),在导通状态下功耗较低,有助于提高系统效率并减少散热设计的复杂度。
该器件采用TO-220封装,具有良好的散热性能和机械稳定性,便于安装在PCB板上,并适用于多种工业环境。其栅极驱动电压范围较宽,可在标准逻辑电平(如5V或10V)下工作,兼容多种控制电路设计。P7NC70ZF还具有较高的短路耐受能力,能够在短时间异常情况下保持稳定工作,提高系统的可靠性和安全性。
另外,该MOSFET具有较快的开关速度,开关时间分别在50ns(导通)和150ns(关断)左右,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、逆变器和功率因数校正(PFC)电路。其寄生电容(Ciss)较低,减少了开关过程中的能量损耗,提高了整体效率。
P7NC70ZF广泛应用于各类高电压和高功率电子系统中。在电源管理领域,常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器和功率因数校正电路中,作为主开关元件使用。在电机控制方面,P7NC70ZF可用于直流电机驱动器、步进电机控制器和变频器中,实现高效能的功率调节。此外,在LED照明系统中,该MOSFET可用于LED驱动电路,提供稳定的电流控制和高效率的功率转换。
由于其高耐压能力和良好的热稳定性,P7NC70ZF也适用于家电产品中的功率控制模块,如电磁炉、微波炉、洗衣机和空调系统。在汽车电子领域,该器件可用于车载充电器、电池管理系统(BMS)以及车载逆变器等应用。此外,P7NC70ZF还可用于工业自动化设备中的功率开关、太阳能逆变器和UPS不间断电源系统等。
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