P6SMBJ30是一种表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS),用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。它属于P6SMBJ系列,具有紧凑的SMB封装,适用于各种高精度电子设备。
类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
封装类型:SMB
最大反向工作电压(Vrwm):30V
击穿电压(Vbr):33.3V(最小)至37.0V(最大)
最大钳位电压(Vc):53.3V
最大峰值脉冲电流(Ipp):8.1A
最大反向漏电流(Ir):10μA(最大)
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-55°C至+150°C
P6SMBJ30具备快速响应时间和高浪涌吸收能力,能够有效保护敏感的电子元件免受高压瞬态干扰。其SMB封装设计使其适用于空间受限的应用场合,同时具备良好的热稳定性和可靠性。该器件的低电容特性也使其适用于高速数据线路的保护。此外,P6SMBJ30的低钳位电压确保在瞬态事件期间提供有效的保护,同时减少对被保护电路的影响。
P6SMBJ30广泛应用于通信设备、计算机外设、工业控制系统、消费电子产品以及汽车电子系统中,用于保护电源线路、数据通信接口和敏感的半导体器件免受瞬态电压损害。
P6SMBJ30CA, P6SMB30A, SMAJ30A