P6SMB18AT3 时间：2025/9/3 20:09:02 阅读：7

P6SMB18AT3 是一款由多家制造商生产的小型表面贴装（SMB）封装的瞬态电压抑制器（TVS）二极管，主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件具备快速响应时间和高能量吸收能力，适用于各种低电压、敏感电子设备的电路保护。P6SMB18AT3 的额定反向击穿电压为18V，适合用于保护工作电压接近该值的电路。该器件采用双向结构，可以有效地抑制正负方向的瞬态电压。

参数

类型：双向TVS二极管
　　封装形式：SMB（表面贴装）
　　最大反向工作电压（VRWM）：18V
　　击穿电压（VBR）：19.9V ~ 22.1V
　　钳位电压（VC）：35.9V（在Ipp = 1.44A时）
　　最大峰值脉冲电流（Ipp）：1.44A
　　最大功率耗散（PPPM）：400W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

P6SMB18AT3 采用双向TVS结构，使其能够同时保护电路免受正负方向的瞬态电压冲击。该器件响应时间极短，通常在皮秒级别，可以在瞬态事件发生时迅速导通，将电压钳制在安全范围内，从而保护下游电路。此外，该器件具备高能量吸收能力，能够在短时间内吸收高达400W的瞬态功率。P6SMB18AT3 的小型SMB封装使得其适用于空间受限的设计，并且适合表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。该器件的低漏电流特性也确保了在正常工作状态下对电路的影响最小。此外，P6SMB18AT3 的高可靠性使其广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子产品和汽车电子等领域。

应用

P6SMB18AT3 主要用于需要对18V左右工作电压的电路进行瞬态电压保护的应用场景。常见应用包括通信接口（如RS-485、RS-232）、电源管理电路、数据线路保护、便携式电子产品、工业控制系统、汽车电子模块（如ECU）以及传感器接口等。由于其快速响应和高能量吸收能力，P6SMB18AT3 也常用于保护敏感的MOSFET、IC和其他低电压电子元件免受静电放电或电压浪涌的损害。