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IS43LR32100D-6BLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:18:04 查看 阅读:32

IS43LR32100D-6BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution Inc.)生产的低功耗、高性能的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于移动DRAM(mDRAM)类别,主要用于需要高带宽和低功耗的便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。IS43LR32100D-6BLI的容量为32Mbit,组织方式为x16,支持低电压操作和多种电源管理功能。

参数

容量:32Mbit
  组织方式:x16
  电压范围:1.7V - 3.3V
  访问时间:6.5ns(最大)
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:异步
  刷新模式:自动刷新/自刷新

特性

IS43LR32100D-6BLI具有多项优异的性能特性,确保其在各类低功耗应用场景中的稳定性和可靠性。
  首先,该芯片支持宽电压范围(1.7V至3.3V),使其能够适应不同的电源管理系统,并在不同电压环境下保持稳定运行。这种灵活性使其适用于多种便携式设备,特别是在电池供电设备中可以有效延长电池寿命。
  其次,IS43LR32100D-6BLI采用异步接口,提供6.5ns的快速访问时间,确保了较高的数据传输效率。这使得该芯片能够满足需要快速数据存取的高性能应用需求。
  该芯片的封装形式为54引脚TSOP,具有较小的封装尺寸,非常适合空间受限的便携式设备设计。此外,其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级温度环境,确保在各种极端条件下仍能正常工作。
  为了进一步降低功耗,IS43LR32100D-6BLI支持自动刷新和自刷新模式,能够在设备待机或低功耗状态下显著减少电流消耗,从而提升设备的能效表现。
  综上所述,IS43LR32100D-6BLI凭借其高性能、低功耗和宽电压范围等优点,成为许多移动和嵌入式应用的理想存储解决方案。

应用

IS43LR32100D-6BLI广泛应用于需要低功耗和高性能存储的设备中。其中,最常见的应用领域包括智能手机、平板电脑和其他便携式消费电子产品。在这些设备中,该芯片用于缓存数据、临时存储图形信息或作为系统内存的一部分,以提升设备的整体性能和响应速度。
  此外,IS43LR32100D-6BLI也适用于工业控制设备、网络设备和嵌入式系统。例如,在工业自动化控制系统中,它可用于存储实时数据和程序代码;在无线通信设备中,它能够提供高速缓存支持,以提升数据传输效率;在视频监控设备中,它可以作为帧缓存器,用于临时存储视频数据。
  由于该芯片具备宽温度范围和良好的可靠性,因此也适用于汽车电子系统,如车载导航系统、智能车载终端和车载娱乐系统。在这些应用中,IS43LR32100D-6BLI能够在高温或低温环境下保持稳定运行,从而确保系统的长期可靠性和稳定性。
  总的来说,IS43LR32100D-6BLI的多功能性和灵活性使其适用于各种需要高性能、低功耗存储的电子系统。

替代型号

IS43LR32256A-6BLI, IS43LR16128D-6BLI, IS48C16A2B4-6A

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IS43LR32100D-6BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格480 : ¥24.21027托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - 移动 LPDDR
  • 存储容量32Mb
  • 存储器组织1M x 32
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率166 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间5.5 ns
  • 电压 - 供电1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳90-TFBGA
  • 供应商器件封装90-TFBGA(8x13)