P6NB80FP 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各类高电压高电流的功率电子设备中。该MOSFET采用先进的高压技术制造,具有低导通电阻、高击穿电压和出色的热稳定性,使其适用于各种高要求的工业和消费类应用。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):800V
最大漏极电流(Id):6A(在25°C时)
导通电阻(Rds(on)):典型值为1.2Ω
最大栅源电压(Vgs):±30V
最大耗散功率(Pd):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220FP
P6NB80FP具备多项优异的电气和热性能特性。首先,其高击穿电压(800V)使其能够胜任高电压环境下的开关操作,例如在AC-DC电源转换器中,可以有效地处理来自市电输入的高压。其次,该器件的导通电阻较低,典型值为1.2Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,P6NB80FP采用了TO-220FP封装,具备良好的散热能力,能够在高功率运行条件下保持稳定的工作温度。
该MOSFET的栅极驱动特性也较为友好,最大栅源电压可达±30V,允许使用较宽范围的驱动电路设计。此外,其快速开关能力使其适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和LED照明驱动器。P6NB80FP还具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性,增强了器件在恶劣工作环境中的可靠性和寿命。
值得一提的是,该器件在设计上考虑了热管理和封装尺寸的平衡,适合在空间受限的应用中使用,同时保持良好的热稳定性。其封装形式TO-220FP不仅提供了良好的散热路径,还便于安装在标准的散热片上。
P6NB80FP因其高电压和中等电流的特性,广泛应用于多种功率电子系统中。常见应用包括开关电源(SMPS)、LED驱动电源、电机控制电路、DC-DC转换器、电池充电器、家电控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。此外,由于其具备较高的电压耐受能力和良好的热管理特性,该MOSFET也常用于高电压输入的适配器和离线式电源设计中。在消费类电子产品和工业设备中,P6NB80FP可作为主开关管或次级功率开关使用,确保系统的高效运行。
STW6NB80, FQP6N80C, IRF840, 2SK2141