时间：2025/12/26 22:11:54
阅读：17
P6002SBLRP是一款由Power Integrations公司推出的高性能、高度集成的离线式开关电源（SMPS）控制IC，专为低功耗、高效率的交流-直流电源转换应用而设计。该器件集成了高压功率MOSFET和先进的控制电路，采用该公司独有的多模式准谐振（Quasi-Resonant, QR）控制技术，能够在宽负载范围内实现极高的能效，并显著降低电磁干扰（EMI）。P6002SBLRP广泛应用于待机电源、辅助电源、智能家电、工业控制、物联网设备以及符合能源之星和IEC 61000-3-2等能效标准的电子产品中。
该芯片内置了完整的保护功能，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐（LEB）以及自动恢复或锁存故障响应机制，确保系统在异常条件下安全运行。其封装形式为紧凑型InSOP-24D，具备优良的散热性能和爬电距离，适用于隔离式反激拓扑结构。P6002SBLRP支持宽范围交流输入电压（通常85VAC至265VAC），并可通过外部元件灵活配置输出电压与功率等级，适合构建最大输出功率约15W的小功率电源系统。
型号：P6002SBLRP
制造商：Power Integrations
产品类型：离线式开关控制器
拓扑结构：反激式（Flyback）
控制模式：准谐振（QR）/多模式（QR/CCM/DCM）
集成功率开关：是
功率开关类型：MOSFET
额定电压：725 V
启动电流：＜50 μA
工作电流：＜1.4 mA
待机电流：＜1.2 mA
工作频率：30 kHz 至 132 kHz
反馈类型：次级侧反馈（通过光耦）
保护功能：过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、过温保护（OTP）、前沿消隐
封装类型：InSOP-24D
引脚数：24
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
认证标准：满足IEC 62368-1、EN 61000-3-2等安规要求
P6002SBLRP采用了Power Integrations先进的PowiGaN技术，将高效的氮化镓（GaN）功率开关与控制器集成于单一封装内，显著提升了高频开关性能和整体能效。相较于传统硅基MOSFET方案，GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗，使得电源系统可在更高频率下运行，从而减小变压器和滤波元件的体积，实现更小型化的设计。该芯片支持多模式运行，能够根据负载情况自动在准谐振（QR）、连续导通模式（CCM）和非连续导通模式（DCM）之间切换，优化不同负载下的效率表现，在轻载时尤其表现出色，满足严格的空载功耗要求（通常低于30mW）。
器件内部集成了高压电流源，可实现快速启动，同时具备动态自供电（DSS）功能，无需额外的偏置绕组即可维持正常工作，简化了变压器设计并降低了系统成本。P6002SBLRP还具备精确的初级侧传感（Primary-Side Sensing, PSS）技术，结合先进的数字控制算法，实现了对输出电压和电流的精准调节，省去了传统的次级侧TL431和部分分立元件，提高了系统可靠性并减少了元件数量。此外，其内置的软启动机制有效抑制了启动过程中的浪涌电流，提升了系统的稳定性与寿命。
该芯片具备强大的抗干扰能力和系统鲁棒性，支持线路电压前馈补偿，可在输入电压波动时保持稳定的输出性能。其故障保护机制全面且可配置，例如过温保护具有迟滞特性，支持自动重启或锁定模式，便于系统设计者根据应用场景选择合适的响应策略。InSOP-24D封装不仅提供了优异的热性能，还增强了高压端与低压端之间的电气隔离能力，符合全球主流安全标准对爬电距离和电气间隙的要求，特别适合用于医疗设备、工业自动化等对安全性要求较高的领域。
P6002SBLRP主要用于各类需要高效、小巧、可靠的低功率交流-直流电源的电子设备中。典型应用包括智能家居网关、路由器、机顶盒、白色家电中的辅助电源、工业传感器与PLC模块的供电单元、楼宇自动化系统、智能电表、LED照明驱动电源以及消费类适配器（如USB充电器、电池充电站）等。由于其出色的轻载效率和极低的待机功耗，该器件特别适用于需要长期连接电网但大部分时间处于待机状态的产品，帮助制造商满足Energy Star、ERP Lot 6、DOE Level VI等国际能效法规要求。此外，其高集成度和简化的设计流程也使其成为原型开发和批量生产的理想选择，有助于缩短产品上市时间并降低总体物料成本。
INN3366C
