时间：2025/7/4 0:04:48
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IPD180N10N3G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关应用以及需要高效能的电路设计。其封装形式为 TO-263-3 (DPAK)，适合表面贴装工艺。
该 MOSFET 的额定电压为 100V，能够承受较高的漏源电压，同时具备良好的热性能和电气性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。
最大漏源电压(V_DS)：100V
连续漏极电流(I_D)：180A
导通电阻(R_DS(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Q_g)：45nC
输入电容(C_iss)：2790pF
输出电容(C_oss)：130pF
反向传输电容(C_rss)：380pF
功耗(P_TOT)：125W
结温范围(T_J)：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263-3 (DPAK)
IPD180N10N3G 具有以下显著特点：
1. 采用先进的 TRENCHSTOP? 技术，实现低导通电阻和低开关损耗。
2. 高效的热管理和优化的封装设计使其能够在高电流条件下稳定运行。
3. 快速开关能力使得它非常适合高频应用，例如开关电源和 DC-DC 转换器。
4. 提供出色的抗雪崩能力和鲁棒性，确保在异常工作条件下的可靠性。
5. 宽泛的工作温度范围支持在极端环境中的使用。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子领域：
1. 开关电源(SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动和工业自动化控制。
3. 电动汽车(EV) 和混合动力汽车(HEV) 的电源管理系统。
4. DC-DC 转换器和负载点(POL) 转换。
5. 太阳能逆变器和储能系统。
6. 各类电池充电器和便携式设备的电源解决方案。
IPW180N10S3G, IPP180N10N3G
