类型：异步SRAM
　　密度：128 Kbit (16K x 8)
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：70 ns
　　封装：44-pin SOJ
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　组织结构：16,384 字 × 8 位
　　功耗类型：低功耗 CMOS
　　输出使能时间 (tOE)：25 ns 典型值
　　片选到输出有效时间 (tCO)：70 ns 最大值
　　写入周期时间 (tWC)：70 ns 最小值
　　读取周期时间 (tRC)：70 ns 最小值
　　待机电流 (ICC1)：≤ 2 μA（CMOS 待机模式）
　　工作电流 (ICC3)：≤ 25 mA（最大）
　　输入电平：TTL 兼容
　　三态输出：支持
　　封装引脚间距：1.27 mm

CY62128BLL-70ZCT具备多项关键特性，使其在众多SRAM产品中脱颖而出。首先，其70纳秒的快速访问时间确保了高效的数据响应能力，满足高速微处理器或DSP系统对实时数据交换的需求。这种性能水平适用于需要频繁读写操作的应用场景，如缓冲区管理、状态寄存器备份和中间计算结果暂存等任务。其次，该芯片采用全静态CMOS设计，允许任意延长地址和控制信号的保持时间而无需刷新机制，从而显著降低系统复杂度并提升整体稳定性。这一特性对于低功耗待机模式尤为重要，因为在待机状态下，仅需将CE#置高即可进入低功耗模式，此时电流消耗可降至2μA以下，极大延长了电池供电系统的续航时间。
　　CY62128BLL-70ZCT还具备出色的抗干扰能力和信号完整性优化设计。所有输入端均内置施密特触发器，增强了对噪声的容忍度，避免因信号抖动导致误触发。同时，输出驱动电路经过精心匹配，减少了开关噪声和地弹效应，提升了多负载环境下的总线可靠性。其三态输出功能允许多个存储设备共享同一数据总线，通过片选（CE#）、输出使能（OE#）和写使能（WE#）信号精确控制读写时序，实现灵活的系统扩展。
　　该器件支持工业级宽温工作范围（-40°C至+85°C），可在极端气候条件下稳定运行，适用于户外通信基站、车载控制系统及工厂自动化设备等严苛应用场景。其SOJ-44封装符合JEDEC标准，具有良好的散热性能和机械强度，且支持自动贴片焊接工艺，有利于大规模生产中的良率控制。此外，CY62128BLL-70ZCT遵循RoHS环保规范，不含铅和其他有害物质，符合现代绿色电子产品的设计要求。英飞凌提供的完整技术支持文档，包括数据手册、应用笔记和可靠性测试报告，进一步降低了客户的设计风险与开发周期。

CY62128BLL-70ZCT广泛应用于多个高可靠性要求的领域。在通信设备中，它常用于路由器、交换机和光网络终端作为数据缓冲区，支持高速包处理和流量调度；在工业控制系统中，该芯片被集成于PLC控制器、HMI人机界面模块和运动控制卡中，用于存储运行参数、I/O映射表和程序堆栈信息；在医疗电子设备中，如便携式监护仪和诊断仪器，其低功耗和高稳定性保障了关键生命体征数据的安全存储与快速调用；在汽车电子方面，可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘显示系统和车载信息娱乐系统，在发动机舱外的电子单元中提供可靠的本地内存支持；此外，该器件也常见于测试测量仪器、POS终端、安防监控设备和智能家居主控板中，承担固件缓存、图像帧缓冲或事件日志记录等功能。由于其并行接口通用性强，易于与多种MCU、FPGA和ASIC对接，因此在原型开发和中小批量项目中尤为受欢迎。结合其长期供货保障和成熟的供应链体系，CY62128BLL-70ZCT成为许多工程师在设计嵌入式系统时首选的标准SRAM解决方案之一。

IS61WV1288BLL-70NLI