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P5NK60Z 发布时间 时间:2025/7/22 22:23:50 查看 阅读:4

P5NK60Z 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET,主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压和低导通电阻的特性,适用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  漏极电流(Id):5A
  导通电阻(Rds(on)):1.4Ω(最大值)
  栅极电压(Vgs):±20V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

P5NK60Z 的主要特性之一是其高耐压能力,漏源电压可达600V,这使其非常适合用于高电压环境下工作的电源系统。
  此外,该器件的导通电阻较低,最大值为1.4Ω,能够在高电流工作条件下降低导通损耗,从而提高系统效率。
  该MOSFET具备良好的热稳定性,其封装设计有助于有效散热,防止过热损坏。
  它的栅极电压范围为±20V,提供了较强的抗过压能力,确保在各种工作条件下稳定运行。
  同时,P5NK60Z 的封装形式包括TO-220和D2PAK,这两种封装都具有良好的机械强度和电气性能,便于安装和散热设计。

应用

P5NK60Z 主要应用于开关电源(SMPS),用于实现高效的能量转换,如AC-DC转换器和DC-DC转换器。
  在工业自动化和控制系统中,该器件可用于电机驱动电路,提供稳定的开关性能。
  它还适用于照明设备,如LED驱动电源,用于调节和控制电流。
  此外,P5NK60Z 也可用于充电器、逆变器以及不间断电源(UPS)等电力电子设备中。
  由于其良好的热稳定性和高耐压特性,该器件在高温环境下依然能够保持稳定运行,因此在工业级和汽车电子应用中也有广泛应用。

替代型号

STP6NK60Z, IRF840, FQP12N60C, 2SK2142

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