P5NK60Z 时间：2025/7/22 22:23:50 阅读：13

P5NK60Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有高耐压和低导通电阻的特性，适用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.4Ω（最大值）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

P5NK60Z 的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达600V，这使其非常适合用于高电压环境下工作的电源系统。
　　此外，该器件的导通电阻较低，最大值为1.4Ω，能够在高电流工作条件下降低导通损耗，从而提高系统效率。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性，其封装设计有助于有效散热，防止过热损坏。
　　它的栅极电压范围为±20V，提供了较强的抗过压能力，确保在各种工作条件下稳定运行。
　　同时，P5NK60Z 的封装形式包括TO-220和D2PAK，这两种封装都具有良好的机械强度和电气性能，便于安装和散热设计。

应用

P5NK60Z 主要应用于开关电源（SMPS），用于实现高效的能量转换，如AC-DC转换器和DC-DC转换器。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件可用于电机驱动电路，提供稳定的开关性能。
　　它还适用于照明设备，如LED驱动电源，用于调节和控制电流。
　　此外，P5NK60Z 也可用于充电器、逆变器以及不间断电源（UPS）等电力电子设备中。
　　由于其良好的热稳定性和高耐压特性，该器件在高温环境下依然能够保持稳定运行，因此在工业级和汽车电子应用中也有广泛应用。