LBZT52B3V3T1G 是一种表面贴装的齐纳二极管(Zener Diode),由ON Semiconductor生产。该器件主要用于电压参考和电压调节应用,适用于便携式电子设备、电源管理电路和电压保护电路。LBZT52B3V3T1G采用SOD-523封装,具有较小的体积和良好的热稳定性,适合高密度PCB布局。
类型:齐纳二极管
齐纳电压(Vz):3.3V
容差:±5%
额定功率:200mW
封装:SOD-523
最大齐纳电流(Iz):200mA
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
LBZT52B3V3T1G 齐纳二极管具有良好的电压稳定性和温度特性,能够在较宽的电流范围内保持稳定的齐纳电压。该器件的SOD-523封装体积小巧,适合高密度PCB布局,并具备良好的热管理能力。此外,LBZT52B3V3T1G具有较低的动态电阻,确保在负载变化时仍能提供稳定的参考电压。其快速响应特性也使其适用于电压保护和钳位电路。由于其高可靠性和长期稳定性,该器件广泛应用于各种电子系统中,如消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子设备。
此外,LBZT52B3V3T1G在反向击穿区工作时能够维持恒定电压,适合用于低功耗参考源和电压调节。该器件还具备良好的瞬态响应性能,能够在电源波动或负载突变时迅速恢复稳定状态。此外,其低漏电流特性确保在非工作状态下不会对系统造成额外的功耗负担。
LBZT52B3V3T1G 主要用于需要稳定电压参考的电路中,例如电源管理模块、电池充电器、电压检测电路和信号调理电路。在消费类电子产品中,它常用于为ADC或比较器提供精确的参考电压;在工业控制系统中,可用于校准仪表和传感器信号;在通信设备中,可用于稳定偏置电压和信号电平。此外,LBZT52B3V3T1G也可用于过压保护电路,限制电路中的电压以防止损坏敏感元件。在汽车电子系统中,该齐纳二极管可用于稳压传感器供电或为车载电子模块提供参考电压。
MM3Z3V3T1G, BZT52B-3V3, MMSZ5233B